李学敏
- 作品数：9 被引量：19H指数：2
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省基础研究计划项目国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法
- 本发明属于半导体技术领域，所述的一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法，包括在衬底上形成第一GaN层；在第一GaN层上形成Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N阻止层，x＝0.0～0.4；在Al<Su...
- 贾伟樊腾李天保许并社李学敏卢太平梅伏洪
- 文献传递
- 三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响被引量：2
- 2016年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和应力情况进行了分析。当三维生长温度分别为1060℃、1070℃和1080℃时,外延层刃位错密度分别为5.09×108/cm3、3.58×108/cm3和5.56×108/cm3,呈现先减小后增大的现象,而螺位错密度变化不显著,分别为1.06×108/cm3、0.98×108/cm3和1.01×108/cm3,同时外延层残余应力分别为0.86 GPa、0.81 GPa和0.65 GPa,呈现逐渐减小的趋势。这可能是由于三维生长温度不同时,外延层生长模式和弛豫程度发生改变所致。
- 李小杜尚林朱亚丹贾志刚梅伏洪翟光美李学敏许并社
- 关键词：GAN位错残余应力
- 中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响被引量：2
- 2016年
- 利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜（AFM）表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70-110 nm增加至110-150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明：增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。
- 刘青明卢太平朱亚丹韩丹董海亮尚林赵广洲赵晨周小润翟光美贾志刚梁建马淑芳薛晋波李学敏许并社
- 关键词：氮化镓
- 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
- 本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构，其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理，将温度降低至530‑580度，并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核...
- 翟光美李学敏梅伏洪张华马淑芳刘青明李小杜王皓田许并社
- 文献传递
- PbS量子点能级结构的尺寸和配体依赖性及其对异质结电池性能的影响被引量：3
- 2016年
- 通过电化学循环伏安测试和吸收光谱测试,确定了有机配体（油酸）和原子配体（四正丁基碘化铵,TBAI）钝化的不同粒径（2.6-4.5 nm）Pb S量子点的导带和价带能级,并研究了量子点尺寸对Pb S/TiO2异质结电池（空气气氛中制备）性能的影响。结果表明：Pb S量子点的能级结构受其粒径大小和表面配体特性的影响。当Pb S量子点尺寸从2.6 nm增加至4.5 nm时,油酸包覆Pb S量子点的导带底从–3.67 eV减小到–4.0 eV,价带顶从–5.19 eV增加到–4.97 eV;而对于TBAI配体置换的Pb S量子点,其导带底和价带顶则分别从–4.15 eV和–5.61 eV变化至–4.51 eV和–5.46 eV。粒径为3.9 nm的Pb S量子点所制备的电池性能最优,其能量转化效率达到2.32%,这可归因于其适宜的禁带宽度、结晶质量和良好的Pb S/TiO2界面能级匹配度。
- 王恒翟光美张继涛杨永珍刘旭光李学敏许并社
- 关键词：循环伏安能级结构太阳能电池
- 一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法
- 本发明属于半导体技术领域，所述的一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法，包括在衬底上形成第一GaN层；在第一GaN层上形成Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N阻止层，x＝0～0.4；在Al<Sub>...
- 贾伟樊腾李天保许并社李学敏卢太平梅伏洪
- 文献传递
- 表面配体和器件结构对PbS胶体量子点电池性能的影响被引量：1
- 2019年
- 利用吸收光谱、傅里叶变换红外光谱和循环伏安等表征技术,分析了利用四丁基碘化铵(TBAI)和1,2-乙二硫醇(EDT)配体钝化处理的PbS胶体量子点的光学性质、表面化学及其能级结构,并在此基础上分别以PbS-TBAI薄膜、PbS-EDT薄膜和PbS-TBAI/PbS-EDT薄膜作为有源层制备了PbS胶体量子点/Zn O纳米粒子异质结太阳能电池,以比较研究表面配体和器件结构对器件光伏性能及其稳定性的影响。结果表明,TBAI和EDT均能与PbS胶体量子点表面原有的油酸配体实现良好置换,但是配体置换之后量子点表面均残留少量油酸分子; PbS-TBAI薄膜的导带底为-5.12 eV,价带顶为-3. 86 eV,而PbS-EDT薄膜的导带底为-4. 99 eV,价带顶为-3. 74 eV,后者相对前者出现了明显的能带上移; PbS-TBAI/PbS-EDT双配体器件的光伏性能最优,能量转化效率达到4. 43%;随着空气暴露时间的增加,PbS-TBAI/PbS-EDT双配体器件和PbS-TBAI单配体器件表现出相似的性能变化趋势,于3 d后达到最优光伏性能,而PbS-EDT单配体器件的空气稳定性差,3 d后的能量转换效率下降至初始效率的1/4。本工作的研究结果将不仅有助于加深对PbS胶体量子点电池性能变化规律的认识,而且有望促进该类电池制备技术的进一步优化。
- 高文辉翟光美翟光美邵智猛张彩峰张勇李学敏许并社
- 关键词：太阳能电池配体能级结构稳定性
- 高功率半导体激光器在金属材料加工中的应用被引量：11
- 2016年
- 高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金钢,获得大面积深度均匀的相变硬化层,也能够精确控制熔覆层结构及其几何形状。
- 李学敏苏国强翟光美刘青明
- 关键词：高功率半导体激光器淬火激光熔覆
- 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
- 本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构，其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理，将温度降低至530-580度，并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核...
- 翟光美李学敏梅伏洪张华马淑芳刘青明李小杜王皓田许并社
- 文献传递
