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王凤丽

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院重庆绿色智能技术研究院更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇衬底
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇工作气体
  • 2篇等离子体化学...
  • 2篇真空
  • 2篇真空炉
  • 2篇自然降温
  • 2篇微波等离子体
  • 2篇微波等离子体...
  • 2篇污染
  • 2篇纳米金
  • 2篇纳米金颗粒
  • 2篇金催化剂
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇金属污染
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇硅衬底
  • 2篇ZNO纳米

机构

  • 6篇中国科学院重...

作者

  • 6篇陆文强
  • 6篇王亮
  • 6篇王凤丽
  • 6篇冯双龙
  • 6篇李振湖

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种制备三维ZnO纳米线网的方法
本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl<Sub>4</Sub>与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括...
王亮陆文强宋金会冯双龙王凤丽李振湖
文献传递
一种制备ZnO纳米栅栏的方法
本发明公开了一种制备ZnO纳米栅栏的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）GaN衬底光刻；（2）衬底涂覆金催化剂反应溶液；（3）加热衬底，溶液收缩；（4）金从溶液中被还原出来，呈闭合环形分布；（5）用CVD法由催化剂诱导...
王亮陆文强宋金会冯双龙王凤丽李振湖
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一种制备三维ZnO纳米线网的方法
本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl<Sub>4</Sub>与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括...
王亮陆文强宋金会冯双龙王凤丽李振湖
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一种多孔金刚石薄膜的制备方法
本发明公开了一种多孔金刚石薄膜的制备方法，将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中，所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在10‑30毫巴，通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域，加热至750‑...
冯双龙陆文强宋金会王凤丽王亮李振湖
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一种制备ZnO纳米栅栏的方法
本发明公开了一种制备ZnO纳米栅栏的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）GaN衬底光刻；（2）衬底涂覆金催化剂反应溶液；（3）加热衬底，溶液收缩；（4）金从溶液中被还原出来，呈闭合环形分布；（5）用CVD法由催化剂诱导...
王亮陆文强宋金会冯双龙王凤丽李振湖
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一种多孔金刚石薄膜的制备方法
本发明公开了一种多孔金刚石薄膜的制备方法，将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中，所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域，加热至750-...
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