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张安邦

作品数：10 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇二极管
  • 3篇异质结
  • 3篇开启电压
  • 3篇功率二极管
  • 3篇反向漏电
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电场
  • 2篇增强型
  • 2篇栅结构
  • 2篇栅介质
  • 2篇栅控
  • 2篇漏极
  • 2篇刻蚀
  • 2篇击穿电压
  • 2篇HEMT器件
  • 2篇FIN
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化镓

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇张安邦
  • 9篇张波
  • 9篇周琦
  • 5篇陈万军
  • 5篇施媛媛
  • 4篇王泽恒
  • 3篇刘丽
  • 2篇胡凯
  • 2篇李建
  • 2篇陈博文
  • 1篇刘杰
  • 1篇魏东

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向恒流二极管
本发明属于半导体技术领域，涉及一种横向恒流二极管(CRD)。本发明克服了传统的硅基CRD器件恒定电流与击穿电压强烈的矛盾关系，利用GaN材料高耐压的优良特性，在该型AlGaN/GaN CRDs器件在实现较大恒定电流的同时...
陈万军张安邦信亚杰施宜军胡官昊刘杰周琦张波
文献传递
硅基AlGaN/GaN功率二极管研究
化合物半导体材料GaN具有禁带宽度大、临界击穿电场强度高、化学性质稳定等特点，是制备下一代功率半导体器件的理想材料之一。由于AlGaN/GaN异质界面处非掺杂形成的二维电子气（Two-dimensional Electr...
张安邦
关键词：功率二极管氮化镓刻蚀工艺
文献传递
一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管。本发明的二极管的阳极由两部分构成，一部分肖特基金属淀积在全刻蚀形成的凹槽中，形成肖特基金属-二维电子气(2DEG)接触；另一部分肖特基金属淀...
周琦李建王泽恒施媛媛张安邦刘丽张波
文献传递
一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法
本发明提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法，器件包括：衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层，叠层包括GaN层、XN层、源极金属层，XN层上方设有漏极金属层，制造方法步骤为：原始材料为具有XN/GaN外延层的晶...
周琦张安邦陈博文靳旸施媛媛王泽恒李建张波
文献传递
硅基氮化镓横向栅控混合阳极功率二极管
GaN/GaN异质结器件因其高的临界击穿电场、高电子迁移率和良好的温度特性在下一代大功率和高频应用中展现出了巨大的潜力,二极管是电力电子应用中不可或缺的器件,制造一个具有开启电压(VT低、反向漏电小(IR＜1μA/mm)...
陈博文周琦张安邦施媛媛靳旸陈万军张波
关键词：功率模块单片集成
一种Nano‑Fin栅结构的混合阳极二极管
本发明属于半导体技术领域，涉及一种Nano‑Fin栅结构的混合阳极二极管。本发明中栅极为Nano‑Fin状的结构，通过等间距或不等间距的方式刻蚀势垒层为插指状，实现栅槽下方和栅槽之间异质结内二维电子气浓度可调制的一种新技...
周琦胡凯张安邦朱厉阳张波
立体多槽栅增强型HEMT器件及其制备方法
本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减...
周琦张安邦施媛媛刘丽王泽恒陈万军张波
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立体多槽栅增强型HEMT器件及其制备方法
本发明提供一种立体多槽栅增强型HEMT器件及其制造方法，包括衬底、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极，栅极设有多个U型槽构成的立体多槽栅结构，该立体多槽栅结构通过刻蚀异质结形成，在漏极至源极方向相邻U型槽之间的距离依次减...
周琦张安邦施媛媛刘丽王泽恒陈万军张波
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一种Nano-Fin栅结构的混合阳极二极管
本发明属于半导体技术领域，涉及一种Nano‑Fin栅结构的混合阳极二极管。本发明中栅极为Nano‑Fin状的结构，通过等间距或不等间距的方式刻蚀势垒层为插指状，实现栅槽下方和栅槽之间异质结内二维电子气浓度可调制的一种新技...
周琦胡凯张安邦朱厉阳张波
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一种新型的GaN异质结场效应晶体管
本发明公开了一种新型的GaN异质结场效应晶体管。本发明通过在场效应晶体管的GaN沟道层局部区域引入P型GaN埋层，该P型GaN埋层可以提升该区域异质结能带从而降低局部沟道2‑DEG浓度同时在GaN沟道层沿着电流方向引入了...
周琦魏东张安邦朱若璞董长旭石瑜黄芃王方洲陈万军张波
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