曾甜
- 作品数：12 被引量：9H指数：2
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家教育部博士点基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 纳米复合热电材料的制备及热电输运机理研究
- 2013年
- 文章概述了金属碲化物纳米复合热电材料的制备方法、理论研究进展。指出了未来金属碲化物热电材料的研究方向和前景。
- 曾甜台国安
- 关键词：热电材料纳米材料热电性能
- 一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法
- 本发明公开了一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，包括以下步骤：将金属基底和反应源置于真空反应装置中，抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应...
- 台国安曾甜尤运城王旭峰胡廷松郭万林
- 文献传递
- 石墨烯基超级电容器研究被引量：1
- 2013年
- 石墨烯是一种单原子层石墨材料,其晶格是碳原子构成的二维蜂巢结构。石墨烯由于无毒、化学和热稳定性极高、高电子迁移率及超高强度,因而具有重要的科学意义和广泛的应用价值。目前已有几种生产石墨烯的方法,但大量生产石墨烯的方法有待于更进一步开发研究,以及在此基础上有望开发出高性能的石墨烯基超级电容器。
- 曾甜李鸿向台国安
- 关键词：石墨烯超级电容器新能源材料
- 一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法
- 本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底...
- 台国安胡廷松曾甜尤运城王旭峰
- 文献传递
- 一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法
- 本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底...
- 台国安胡廷松曾甜尤运城王旭峰
- 二维硫化钼的化学气相沉积法制备及其光电性能研究
- 二维过渡族金属硫化物材料因其具有独特的物理化学性质而引起了科学领域的广泛关注。该系列材料中备受关注的是二硫化钼材料，它类似于石墨烯结构，在二维平面内均由共价键组成，其体相材料是一种间接带隙半导体，带隙为1.2 eV;然而...
- 曾甜
- 关键词：半导体材料化学气相沉积光电性能
- 二维硫化钼基原子晶体材料的化学气相沉积法制备及其器件被引量：2
- 2016年
- 二维过渡族金属硫属化合物因其带隙具有强烈的层数依赖性而在电子器件方面具有广泛的应用前景。其中单层二硫化钼(MoS_2)是该系列材料中最典型的一种直接带隙半导体,它具有优异的光、电、磁、热和力学性能。二维MoS_2有望在光电探测、光伏器件、场效应晶体管、存储器件、谷电子和自旋器件、温差电器件、微纳机电器件和系统等方面得以广泛应用。化学气相沉积(CVD)法已成为制备二维过渡族金属硫属化合物如MoS_2、MoSe_2、WS_2和WSe_2等原子层薄膜的主要手段,尤其科学界利用CVD法对二维MoS_2材料进行了深入的制备探索,通过该方法制备的MoS_2薄膜在电子和光电器件方面已经有广泛研究。本文将从二维MoS_2的基本物性出发,详细介绍CVD法制备MoS_2的各种工艺过程,如热分解硫代硫酸盐法、硫化Mo(MoO_(3-x))薄膜制备法、MoO_(3-x)粉体与硫属前驱体气相合成法和钼箔表面直接硫化法,并介绍了基于MoS_2的二维异质结构筑方法。在制备材料的基础上,详细阐述了二维MoS_2在场效应晶体管、光电探测器、柔性电子器件以及异质结器件方面的应用,并展望了二维材料在半导体器件中的应用前景。
- 曾甜尤运城王旭峰胡廷松台国安
- 关键词：二硫化钼化学气相沉积光电器件
- 一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法
- 本发明公开了一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，包括以下步骤：将金属基底和反应源置于真空反应装置中，抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应...
- 台国安曾甜尤运城王旭峰胡廷松郭万林
- 文献传递
- 类石墨烯二硫化钨薄膜的化学气相沉积法制备及其应用被引量：5
- 2015年
- 类石墨烯过渡金属硫属化合物如Mo S2、WS2、Mo Se2、WSe2等因为具有层数依赖的带隙结构而受到了广泛关注。尤其是本征态的WS2为双极性半导体,它同时具有n型和p型电输运特性,有望在电子电路、存储器件、光电探测和光伏器件方面得以广泛应用。近年来,化学气相沉积技术已经被广泛用于制备大面积二维硫属化合物(如Mo S2,Mo Se2,WS2和WSe2)原子层薄膜。目前关于其他二维材料体系的综述文献介绍较多,但是针对WS2介绍的综述文献还鲜有报道。因此,本文综述了类石墨烯WS2薄膜的化学气相沉积法制备和相关器件的国内外研究进展,讨论了WS2薄膜的化学气相沉积法制备机理及生长因素如硫粉含量、载气的成分、反应温度、基底材料等对薄膜成膜质量的影响,介绍了WS2薄膜在晶体管、光电器件及与其他二维材料构成的异质结构器件的最新研究成果,并对可能存在的问题进行了分析和述评。
- 尤运城曾甜刘劲松胡廷松台国安
- 关键词：化学气相沉积法晶体管光电器件
