陈雪娇
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：天津大学精密仪器与光电子工程学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 基于石墨烯/聚二甲基硅氧烷复合材料的正己烷气体传感器被引量：2
- 2018年
- 设计了一种基于石墨烯/聚二甲基硅氧烷(PDMS)复合材料的正己烷电阻式气体传感器。石墨烯/PDMS复合材料是由液相剥离的石墨烯与PDMS在异丙醇中混合而成,该复合材料的导电性与石墨烯含量正相关,电导率逾渗阈值低至0.41wt%。当石墨烯质量分数为0.45 wt%时,对正己烷的检测极限达到了200×10-9,并且拥有非常好的可重复性。该传感器制备方法简单,成本低,且灵敏度高,在工业领域有非常大的应用潜力。
- 史思罡李全宁陈雪娇
- 关键词：气体传感器液相分离聚二甲基硅氧烷正己烷
- 基于钽酸锂薄膜衬底的声表面波谐振器被引量：2
- 2022年
- 在5G通信时代,声表面波(SAW)滤波器作为射频前端滤波器的一种重要解决方案,面临着频率提升和带宽拓展的双重困难,其性能优劣直接影响整个通信系统的质量.近年来,随着离子切片技术的成熟,压电单晶薄膜技术给SAW滤波器带来了新转机.与传统的42°Y切钽酸锂(LiTaO3)衬底相比,基于离子切片技术的同切型钽酸锂-二氧化硅-硅(42°Y-cut LiTaO3-on-insulator,42-LTOI)衬底能有效提升器件的性能.通过研究基于42-LTOI衬底的SAW谐振器的设计参数与其各性能指标(性能系数、机电耦合系数、寄生模式抑制)之间的关系,可以为进一步设计满足5G通信频段要求的SAW滤波器提供指导.通过理论分析、有限元仿真与实验测试相对比的方法,在谐振器优化设计方面得到以下结论:增加谐振器的电极对数或者电极孔径,能够有效提升器件的性能系数,其中增加电极对数的作用更为明显;在具有相同静态电容的谐振器中,电极孔径与电极对数的比值越小(即谐振器的形状在声波传播方向上越狭长),器件的性能系数越高;谐振器的机电耦合系数随电极周期增加呈现先增大后减小的趋势,在本实验使用的衬底参数下,当电极周期为1.8μm时,具有10.8%的理论最大值;谐振器的寄生模式响应会随电极对数的增加而逐渐增强,采用赝电极结构可以有效抑制寄生响应.
- 杨清瑞王志超宋学毅王昭勋陈雪娇张师斌
- 关键词：声表面波谐振器性能系数机电耦合系数
- 有机半导体薄膜生长原位实时测量方法的研究
- 2015年
- 针对原位实时监测有机半导体薄膜生长情况的需求,提出了差分反射光谱法与场效应晶体管法结合的光电联合测量方法,设计研制了测量系统.以并五苯有机分子为例,通过自制底栅底接触式场效应管微结构,实验测试了热蒸发法生长导电膜层过程中光电信号的演变与相互关联.光谱信号显示,并五苯以薄膜态结构进行生长,光谱随生长进程变化显著.实验数据与四相结构模型仿真结果的良好吻合,表明因薄膜增厚引起干涉条件的改变是光谱变化的主因,由此推算出薄膜生长速率为0.23 nm/min.当薄膜等效厚度达到28 nm时,场效应管的导电性显著增强,标志着并五苯有效传输层的形成.此后,薄膜厚度持续增加,但测试电流增长缓慢,说明该结构进入电学特性饱和区.光电联合法不仅有助于研究有机半导体薄膜的光谱信息、电学特性和薄膜结构之间的相互对应关系,也为发展原位监测有机半导体薄膜制备过程,探索最佳工艺提供了新的研究手段.
- 徐佳佳胡春光陈雪娇张雷傅星胡小唐
- 关键词：光电特性并五苯
- 纳米有机薄膜有效导电层的反射光谱法研究被引量：1
- 2016年
- 为研究纳米厚度有机薄膜生长过程中有效导电层的判定方法,揭示反射光谱蕴含的薄膜生长机理,基于多相膜层等效结构和光学菲涅耳方程建立了材料光学系数和膜层厚度为参数的差分反射光谱数学模型,提出了依据相对拟合误差的拟合度评价方法.通过分析室温真空环境纳米厚度并五苯薄膜在Si/SiO_2基底上生长过程的差分反射光谱,发现采用四相膜层结构和并五苯薄膜晶体结构光学系数拟合的差分反射光谱与实验数据符合良好,确认并五苯分子主要以薄膜结构的形态进行生长,膜厚生长速率约为0.2 nm/min.该方法避免了反射光谱中多膜层结构产生的干涉信号对生长机理分析的影响.更为重要的是,相对拟合误差随生长时间的变化趋势与由薄膜构建的场效应管结构的电学特性呈现出明显的相关性,不仅反映了生长过程中薄膜成膜模式的演变趋势,还清晰地揭示了有效导电层的形成过程,为光谱法研究薄膜生长机理和无法进行电学测试的条件下监测薄膜电学特性提供了新手段.
- 侯艳洁胡春光张雷陈雪娇傅星胡小唐
- 关键词：光学模型反射光谱
- 一种有效提升石墨烯晶体管迁移率的加工方法（英文）
- 2016年
- 传统光刻工艺加工石墨烯沟道的方法中,石墨烯表面的光刻胶残留严重影响其电学特性,导致载流子迁移率大大降低.为了解决光刻胶残留的问题,采用聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)作为缓冲层,将石墨烯与光刻胶隔离,可以有效保护石墨烯表面,使石墨烯保持干净的表面.电学测量结果表明,与传统光刻方法相比该方法制备出的石墨烯场效应管的迁移率提升了5倍.此外,通过采用聚合物辅助的转移方法,可实现大面积石墨烯的转移.拉曼光谱数据表明,这种转移方法对石墨烯造成的沾污和破损非常微弱.该加工工艺不仅与CMOS工艺兼容,而且适用于各种基于石墨烯的微电子器件.
- 冯志宏王超孙崇玲张代化陈雪娇
- 关键词：石墨烯PMMA载流子迁移率场效应晶体管
