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席善斌

作品数：26 被引量：34H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 16篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇可靠性
  • 4篇氢
  • 3篇单片
  • 3篇电路
  • 3篇电子元
  • 3篇机载
  • 3篇机载电子
  • 3篇机载电子设备
  • 3篇集成电路
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇电磁继电器
  • 2篇电器
  • 2篇元器件
  • 2篇失效模式
  • 2篇试验箱
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电压
  • 2篇微波单片
  • 2篇微波单片集成

机构

  • 26篇中国电子科技...
  • 12篇国家半导体器...
  • 1篇北京大学
  • 1篇国防大学

作者

  • 26篇席善斌
  • 16篇黄杰
  • 16篇彭浩
  • 15篇裴选
  • 8篇高金环
  • 6篇高兆丰
  • 5篇尹丽晶
  • 5篇张魁
  • 2篇迟雷
  • 1篇刘东月
  • 1篇崔波
  • 1篇王晨
  • 1篇陈海蓉
  • 1篇李树杰
  • 1篇王伟
  • 1篇安国雨
  • 1篇曹耀龙
  • 1篇王金延
  • 1篇刘中华
  • 1篇赵海龙

传媒

  • 11篇环境技术
  • 4篇半导体技术
  • 4篇电子质量
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇微处理机

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 8篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
片式钽电容典型失效案例分析
2024年
片式钽电容具有使用寿命长、耐高温、大容量等特性,应用领域十分广阔,但在实际应用中也会出现很多问题。本文研究了片式钽电容的结构,对其失效模式和失效机理进行了简要介绍;并针对四例典型的片式钽电容失效案例,按照元器件失效分析流程展开分析,得到其失效原因和失效机理。最后,总结了影响片式钽电容可靠性的几个因素,为相关工作人员使用钽电容提供了参考依据。
高东阳王伟高若源席善斌
微波组件低气压检漏试验方法
本标准规定了微波组件低气压检漏的试验程序与试验方法。本标准适用于频率大于300 MHz的微波组件密封性能的检测。
席善斌沈彤茜高金环李树杰刘中华彭浩黄杰崔波陈海蓉
基于工艺的GaN HEMT抗辐射加固研究进展被引量：2
2019年
GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制造工艺是导致这一差距产生的主要原因。通过调研、分析近几年国际报道的GaN HEMT制造工艺对辐射效应的影响,分别从有源区隔离工艺、GaN沟道层厚度、钝化层结构和衬底材料四个方面作出对比,分析可能的原因,给出一种加固工艺优选方法,以期对我国抗辐射加固GaN HEMT研制提供借鉴和指导。
席善斌高金环裴选高东阳尹丽晶尹丽晶
关键词：GAN抗辐射加固衬底材料
GB/T4937系列标准制订现况——第14部分:引出端强度(引线牢固性)被引量：1
2016年
该文简述了GB/T 4937《半导体器件机械和气候试验方法》系列标准目前的制订现况。重点针对GB/T 4937-1995中第Ⅱ篇第1章引出端强度,阐述了GB/T 4937-1995版标准存在的弊端,以及新制定标准GB/T 4937.14《半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固性)》的优越性。
裴选彭浩席善斌张魁高兆丰黄杰
关键词：GB/T
SiC MOSFET关键动态参数测试技术研究及特性分析
2024年
SiC MOSFET开关速度快导致其对测试平台的寄生参数较为敏感,而高电压和大电流的特性也为测试平台设计带来挑战。自主设计和搭建了一套集成化和规范化的大功率双脉冲测试平台,利用叠层母排结构的低杂感集成化设计,减小器件过快的开关速度对主回路寄生电感的影响;通过驱动过欠压保护电路设计,减小大电流密度的影响,保证器件可靠开通和关断。为验证该测试平台的实用性,选取几种国内外不同厂家的SiC MOSFET进行主要动态参数在不同结温下的测试及分析,全面评估了器件动态特性与温度的关系,研究结果对器件的生产和应用具有一定意义。
杨振宝席善斌褚昆张欢张魁赵海龙
关键词：动态参数驱动保护电路
利用X射线检验器件封盖密封缺陷的方法
本发明提供了一种利用X射线检验器件封盖密封缺陷的方法，包括：获取器件封盖的X射线Y向视图，将X射线Y向视图上的封盖密封区域划分为多个边线区域和多个边角区域，其中，边线区域的内外边界为直线，边角区域的内外边界为曲线；分别确...
冉红雷周振华张魁赵海龙席善斌彭浩黄杰
金迁移诱致谐波混频器失效分析研究被引量：3
2015年
对用于某下变频器模块中的HMC264型谐波混频器开展了失效分析研究。结果表明,混频器增益下降、电流增大是由于混频器芯片表面产生金迁移并将相邻金属化条跨接所致。混频器芯片表面产生金属迁移是因为芯片表面有液体聚集现象存在,加电使用过程中,金属化层材料Au在电场及残留液体共同作用下发生迁移所致。借助扫描电镜对电迁移形貌及元素成分进行了分析,并对电迁移相关的失效机理进行了讨论,最后对预防电迁移所导致的失效提出了预防和改进措施。
席善斌高金环裴选高兆丰黄杰
关键词：谐波混频器
LED常见失效模式与失效机理被引量：3
2018年
发光二极管(Light Emitting Diodes,LEDs)由于具有长寿命、高能量转换效率、环境友好的特点而成为当今最受欢迎的照明解决方案之一,广泛应于显示屏、通讯、医疗器件以及普通照明产业。LED结构类似于半导体器件,但是由于其在性能、材料以及界面间的差异,又使得其具有特殊的失效模式和失效机理。本文针对LED常见失效机理和机理进行了讨论和分析,对应用可靠性给出了相关建议。
安国雨席善斌刘东月彭浩黄杰
关键词：发光二极管失效模式可靠性
氢效应试验箱和系统
本发明适用于电子元器件可靠性评价技术领域，提供了一种氢效应试验箱和系统。该系统包括：供电模块、氢浓度控制模块、控温模块、抽真空模块、参数测试模块和氢效应试验箱；其中，抽真空模块将氢效应试验箱内部设置为真空状态，以使氢浓度...
席善斌裴选彭浩高金环张魁高东阳
文献传递
高功率微波下GaAs PIN限幅器的损伤机理分析被引量：1
2019年
GaAs PIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件。本文对经受高功率微波后GaAs PIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAs PIN限幅器设计和工艺改进具有一定的指导意义。
高金环黄杰席善斌
关键词：限幅器高功率微波损伤形貌
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