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魏明

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇导体
  • 3篇电镜
  • 3篇电镜研究
  • 3篇层错
  • 3篇超导
  • 3篇超导体
  • 1篇电子显微术
  • 1篇堆垛
  • 1篇堆垛层错
  • 1篇应变超晶格
  • 1篇晶格
  • 1篇高分辨电镜
  • 1篇高分辨电子显...
  • 1篇SI(100...
  • 1篇XSI
  • 1篇YBACUO
  • 1篇GEXSI1...
  • 1篇HREM
  • 1篇超晶格
  • 1篇Y

机构

  • 4篇南京大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇冯端
  • 4篇李齐
  • 4篇魏明
  • 3篇郑建国
  • 1篇周国良

传媒

  • 2篇自然科学进展...
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇1991
  • 2篇1990
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Y1Ba2Cu3O7-8超导体层错的高分辨电镜研究
我们在运用高分辨电子显微术,在T为90K通过固态反应制备的YBaCuO超导体中观察到两种类型的层错,其层错面均为(001)面。结构象衬度及晶体周期性分析表明层错均为附加Cu-O链插入包含基本Cu-O面的两层Ba-O层之间...
郑建国李齐王路春魏明刘畋冯端
文献传递
钇钡铜氧超导体中层错的高分辨电子显微术研究
1991年
我们运用高分辨电子显微术,在Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)高T_c超导体中观察到两种类型的层错,它们具有相同的层错面(001),不同的相对位移矢量即[0,b/2,c/6]和[a/2,b/2,c/6].这两种层错都是由于完整晶体的基本铜氧面插入另一铜氧链形成的,它们既可以穿过整个晶体,也可中止在晶体中,在层错中止处,我们观察到不全位错.我们还观察到上述两种层错存在同一(001)面的情况,并在两种层错的窄过渡区观察到不全位错,其伯格斯矢量为[a/2,0,0],相应的结构模型亦已提出.
郑建国李齐章佩君王路春魏明冯端
关键词:超导体堆垛层错
Ge_xSi_(1-x)/Si(100)应变超晶格高分辨电镜研究
1991年
本文用高分辨电镜(HREM)技术研究了在较高温度下生长的Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)和Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si(100)应变超晶格中截面高分辨象。结果表明,晶格失配造成超晶格中较薄的子层,即合金层中弹性应变,在Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)应变超晶格中,合金层弹性应变与四方畸变结果相近,在Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si(100)应变超晶格中,合金层弹性应变不均匀,使{111}晶面取向局部偏离无法观察到完整清晰的晶格象.Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)应变超晶格计算模拟与观察结果比较发现,超晶格界面附近存在互扩散.
余是东李齐王路春魏明冯端俞鸣人周国良褚一鸣
关键词:GEXSI1-X/SIHREM
Y_1Ba_2Cu_3O_(7-8)超导体层错的高分辨电镜研究
1990年
我们在运用高分辨电子显微术,在T_c为90K通过固态反应制备的YBaCuO超导体中观察到两种类型的层错,其层错面均为(001)面。结构象衬度及晶体周期性分析表明层错均为附加Cu-O链插入包含基本Cu-O面的两层Ba-O层之间所致,两种层错分别具有位移矢量R_1=[0,/2,c/b]和R_2=[a/2,b/2,c/b]。图1为[100]带轴的高分辨象,图中显示了R_1型层错并标出了层错附近原子排列情况,结构模型在[100]方向的投影如图4A区所示。图2是与图1同一样品稍不同区域不同欠焦量的[100]带轴高分辨象。图中B区沿水平方向晶格参数与A区相同,故A、B两区具有相同的晶带轴B区显示的层错与A区不同,具有位移矢量R_2,图中标出了原子排列情况,结构模型如图4B区所示。(001)层错可以穿过整个晶粒,也可中止在其中。在层错中止处,存在伯格斯矢量和层错位移矢量相同的不全位错。
郑建国李齐王路春魏明刘畋冯端
关键词:超导体层错高分辨电镜YBACUO
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