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黄宗林
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1
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供职机构:
西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
孙正地
航空航天部
林长贵
西安交通大学电子与信息工程学院...
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1篇
1990
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Bi-CMOS双极型晶体管的研制
1990年
本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了工作机理,阐明了采用标准CMOS工艺制作高性能Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法.然后,建立了分析计算晶体管直流特性的数学模型,并分析计算了工艺参数、器件结构对器件性能的影响,给出了CMOS工艺全兼容的Bi-CMOS双极型npn晶体管的最佳设计方案.采用常规p阱CMOS工艺进行了投片试制.测试结果表明,器件性能达到了设计指标;器件的电流增益在200以上,与理论计算完全一致.
林长贵
黄宗林
孙正地
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双极型晶体管
晶体管
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