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李俊烨

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：金属学及工艺文化科学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇单晶
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇分子束外延技...
  • 4篇单晶薄膜
  • 3篇铋
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶薄膜
  • 2篇束流
  • 2篇纳米
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格结构
  • 2篇晶格失配
  • 2篇晶片
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇Β相
  • 2篇超晶格
  • 2篇超晶格结构
  • 1篇导套
  • 1篇低熔点

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇李俊烨
  • 10篇李含冬
  • 9篇姬海宁
  • 9篇牛晓滨
  • 5篇王志明
  • 5篇刘婷
  • 5篇赵鹏
  • 2篇王建伟

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2015
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于弹性薄片微小样品应变状态性能测试的弯曲夹具
本发明公开了一种用于弹性薄片微小样品应变状态性能测试的弯曲夹具，所述装置包括U型底座、水平位移与夹持转动部分。U型底座是整个装置的安装基准，用于固定和支撑其他零件，底部开孔以适应需要光路通过的测试场合。水平位移部分由手动...
李含冬刘婷李俊烨赵鹏方晨旭米兆武姬海宁牛晓滨
一种低熔点纳米铋合金液滴的可控制备方法
本发明公开了一种低熔点纳米铋合金液滴的可控制备方法，属于纳米结构材料制备领域。属于纳米结构材料制备领域。本发明方法首先制备得到Si(111)‑7×7再构表面；然后在Si(111)‑7×7再构表面沉积20到40个单层(ML...
李含冬杜绍增李俊烨赵鹏刘婷方晨旭孙雪莹齐睿姬海宁牛晓滨王志明
一种硒化铋超晶格结构及其制备
本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>...
李含冬贺靖李俊烨杜绍增陈治姬海宁牛晓滨王志明
文献传递
一种制备大面积β相硒化铟单晶薄膜的方法
本发明涉及一种制备大面积β相In<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>单晶薄膜的方法，包含如下步骤：1)对晶面取向为(111)的硅衬底进行化学清洗及化学腐蚀处理，得到表面洁净的氢钝化硅衬底；2)将制得的硅衬...
李含冬贺靖尹锡波徐超凡李俊烨姬海宁牛晓滨王志明
文献传递
一种择优取向硒碲固溶体纳米晶薄膜的平坦化制备方法
本发明公开了一种择优取向硒碲固溶体纳米晶薄膜的平坦化制备方法，属于光电材料制备技术领域。所述硒碲固溶体纳米晶薄膜晶粒择优取向为(100)与(110)，晶粒尺寸为20～40nm，薄膜厚度为30～720nm，表面均方根粗糙度...
李含冬刘婷李俊烨赵鹏方晨旭米兆武姬海宁牛晓滨
一种外延制备片状Bi<Sub>4</Sub>Se<Sub>3</Sub>微晶的方法
本发明涉及一种外延制备片状Bi<Sub>4</Sub>Se<Sub>3</Sub>微晶的方法，包含如下步骤：1)将单晶云母衬底先用化学试剂清洗，再用胶带剥离解理，得到表面洁净平整的云母衬底；2)将云母衬底传入分子束外延真...
李含冬李俊烨杜绍增
文献传递
一种用于CdZnTeSe晶片的表面腐蚀剂
本发明公开了一种用于CdZnTeSe晶片的表面腐蚀剂，属于半导体器件加工技术领域。该腐蚀剂的配方为：3ml氢氟酸、2g重铬酸钾、0.25g硝酸银和10ml水；氢氟酸的体积分数为48.5％～49.5％。本发明在HHKA腐蚀...
李含冬方晨旭刘婷代轶文赵鹏李俊烨王建伟姬海宁牛晓滨
一种制备大面积β相硒化铟单晶薄膜的方法
本发明涉及一种制备大面积β相In<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>单晶薄膜的方法，包含如下步骤：1)对晶面取向为(111)的硅衬底进行化学清洗及化学腐蚀处理，得到表面洁净的氢钝化硅衬底；2)将制得的硅衬...
李含冬贺靖尹锡波徐超凡李俊烨姬海宁牛晓滨王志明
W波段放大检波电路研究
辐射计可用于遥感、安检、制导等领域中，在军事、环境科学上都有重要的作用。毫米波辐射计接收前端电路现在主要采用的是直接检波式结构。毫米波放大检波电路作为毫米波辐射计的关键部件，对系统性能指标起决定性作用。国外对W波段技术研...
李俊烨
关键词：辐射计低噪声放大器检波器
文献传递
一种CdZnTeSe晶片的退火装置
本发明公开了一种CdZnTeSe晶片的退火装置，属于晶体热处理技术领域。该装置包括加热炉、升降装置、石英安瓿、石英塞、石英固定圆盘、四个内石英坩埚、两个石英棒，镉源；其中，加热炉内的中部温区设置为梯度温度，石英安瓿通过升...
李含冬方晨旭刘婷代轶文赵鹏李俊烨王建伟姬海宁牛晓滨
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