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刘建云
作品数:
35
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
自动化与计算机技术
文化科学
电子电信
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合作作者
陈岚
中国科学院微电子研究所
徐勤志
中国科学院微电子研究所
曹鹤
中国科学院微电子研究所
李志强
中国科学院微电子研究所
孙艳
中国科学院微电子研究所
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机构
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中国科学院微...
作者
35篇
刘建云
30篇
陈岚
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曹鹤
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徐勤志
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李志强
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张贺
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孙艳
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2018
3篇
2017
1篇
2015
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一种表面形貌仿真的方法及系统
本发明公开了一种表面形貌仿真的方法及系统,包括:(1)实时获取晶圆与研磨垫接触区域的弹性形变量;(2)根据所述弹性形变量计算所述接触区域内研磨垫与晶圆之间的接触力;(3)根据所述接触力计算所述晶圆表面的研磨去除率;(4)...
刘建云
陈岚
徐勤志
TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质
本发明提供了一种TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:根据TSV阵列排布,求解结构的热应力分布结果,基于热应力分布结果,利用预设算法对TSV阵列的热机械可靠性进行寻优,得到热机械可靠...
刘建云
徐勤志
曹鹤
李志强
芯粒异构系统的多物理场量预测模型的训练方法以及装置
本申请提供一种芯粒异构系统的多物理场量预测模型的训练方法,应用于芯粒技术领域,包括:基于预先构建的芯粒异构系统的电‑热‑力耦合控制方程以及对应的边界条件,构建芯粒异构系统的多物理场量预测模型以及对应的损失函数,利用损失函...
徐勤志
马晓宁
王成晗
曹鹤
刘建云
张道庆
李志强
一种获取保持环的最佳工艺参数的方法
本发明提供了一种获取保持环的最佳工艺参数的方法,包括:建立化学机械研磨系统的有限元分析模型,包括抛光垫、晶圆、设置在晶圆外围的保持环、以一定的压力将晶圆和保持环压在抛光垫上的夹持器;确定分析模型的边界条件,并将抛光垫、晶...
刘建云
陈岚
文献传递
CMP仿真方法和装置、研磨去除率的获取方法和装置
本申请公开了一种CMP仿真方法和装置,该仿真方法用于模拟研磨液对晶圆的化学协同作用,该仿真方法包括:获取化学机械研磨中的研磨粒子与晶圆之间的接触压力F、研磨粒子的直径D以及研磨液化学协同作用下的晶圆表面硬度H<Sub>w...
刘建云
陈岚
孙旭
文献传递
芯片自毁系统以及方法
本发明公开了一种芯片自毁系统以及方法,本发明技术方案可以通过采集电路采集被保护芯片所处环境参数,所述处理器可以基于所述环境参数判断是否满足自毁条件,在满足所述自毁条件时,产生控制信号,用于驱动升压电路为所述保护芯片提供设...
刘建云
陈岚
文献传递
CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统
本发明公开了一种CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统,该方法包括:建立研磨液、研磨粒子、研磨垫与芯片表面间相互作用的动力学模型;根据动力学模型,获取研磨垫与芯片表面间的接触应力、研磨液在芯片表面的第一浓度分布、...
徐勤志
陈岚
曹鹤
刘建云
CMP研磨率的优化方法和优化控制系统
本发明公开了一种CMP研磨率的优化方法和优化控制系统,该优化方法包括:设置CMP研磨的外部实施条件;调节该外部实施条件,计算不同条件下的CMP研磨率及其对应的晶圆表面的一致性;选择一致性最高时的外部实施条件及对应的CMP...
徐勤志
陈岚
刘建云
曹鹤
CMP仿真方法和装置、研磨去除率的获取方法和装置
本申请公开了一种CMP仿真方法和装置,该仿真方法用于模拟研磨液对晶圆的化学协同作用,该仿真方法包括:获取化学机械研磨中的研磨粒子与晶圆之间的接触压力F、研磨粒子的直径D以及研磨液化学协同作用下的晶圆表面硬度H<Sub>w...
刘建云
陈岚
孙旭
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一种多层互连线结构的CMP仿真方法和仿真系统
本发明提供了一种多层互连线结构的CMP仿真方法和仿真系统,包括:获取芯片的版图数据,所述版图数据包括从下往上依次排布的第1层互连线至第n层互连线的表面形貌数据,n为大于或等于2的整数;对所述第1层互连线进行CMP仿真,获...
刘建云
陈岚
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