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张国和

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：集美大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇短沟效应
  • 2篇阈值电压
  • 2篇阈值电压解析...
  • 2篇解析模型
  • 2篇拉普拉斯方程
  • 1篇电势
  • 1篇电势分布
  • 1篇全耗尽
  • 1篇接电
  • 1篇SOI_MO...

机构

  • 2篇集美大学

作者

  • 2篇韦素芬
  • 2篇邵志标
  • 2篇张国和
  • 2篇耿莉
  • 2篇黄辉祥

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响，采用分离变量的思想方法，将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电...
韦素芬黄辉祥张国和邵志标耿莉
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一种体接电位PD‑SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响，采用分离变量的思想方法，将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电...
韦素芬黄辉祥张国和邵志标耿莉
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