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胡朝辉

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：吉林大学电子科学与技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应变量子阱
  • 1篇应变量子阱激...
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇化学汽相沉积
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇LP-MOC...

机构

  • 1篇吉林大学

作者

  • 1篇陈松岩
  • 1篇祝进田
  • 1篇刘式墉
  • 1篇李玉东
  • 1篇胡礼中
  • 1篇胡朝辉

传媒

  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇1994
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长
1994年
本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。
祝进田李玉东胡礼中陈松岩胡朝辉刘式墉
关键词：激光器化学汽相沉积
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