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李朝勇

作品数：4 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇SI
  • 1篇电器件
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇射频溅射
  • 1篇砷化镓
  • 1篇施主
  • 1篇室温
  • 1篇退火
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇腔面
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇溅射
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇毫安
  • 1篇发射激光器

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇机电部

作者

  • 4篇李朝勇
  • 2篇牛智川
  • 2篇周增圻
  • 2篇林耀望
  • 1篇黄永箴
  • 1篇余金中
  • 1篇张一心
  • 1篇潘钟
  • 1篇王圩
  • 1篇郭良
  • 1篇吴荣汉
  • 1篇李光平
  • 1篇何秀坤

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 2篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1990
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
射频溅射AIN膜的材料性能及其在光电器件上的应用研究
1990年
本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝缘特性、腐蚀特性和光学特性的影响。利用AIN膜来保护光电器件、提高激光器和发光管的功率、降低激光器的阈值电流等作了工艺探讨。实验发现:利用端面镀膜技术,在LED前端面溅上一层AIN(厚为λ/4n,λ为LED发光波长,n是AIN膜的折射率)后,其P-I曲线明显地变化,发光管的功率平均提高了69％(I=100mA)。
李朝勇郭良余金中
关键词：光电器件溅射GAAS
MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究被引量：1
1995年
本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究．已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２×１０４ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料．样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１×１０１３ｃｍ－３＜ｎ＜１×１０１５ｃｍ－３）内，在大体相同的生长温度（５９０℃左右）下，选择适当的生长速率Ｇｒ会增强对浅受主杂质的抑制作用，同时也会抑制Ｓｉ的自补偿效应，减小杂质的补偿度Ｎａ／Ｎｄ之值，从而提高ＭＢＥ外延ＧａＡｓ材料的迁移率．
牛智川周增圻林耀望李朝勇
关键词：砷化镓MBE生长掺杂迁移率
亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器被引量：5
1995年
报道了ＩｎＧａＡｓ应变量子讲垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的室温连续工作。在ＭＢＥ生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡，实现了原位厚度监测；采用阶梯型分布布拉格反射器（ＤＢＲ）及腐蚀倒台面结构，降低了器件串联电阻。对于２×３μｍ２的台面结构ＶＣＳＥＬ，室温连续工作阈值电流一般为１．５ｍＡ，最低达到０．７ｍＡ，阈值电压为２．５伏，输出功率达到０．５ｍＷ，激射波长为０．９４ｕｍ，量子效率为１２％。
吴荣汉周增圻林耀望潘钟黄永箴李朝勇牛智川王圩
关键词：垂直腔面发射激光器应变量子阱
CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响
1992年
本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火中形成的新施主,并且碳对这种施主起着强烈的促进作用.
张一心李朝勇李光平何秀坤卢存刚李祖华
关键词：辐照退火氧碳施主
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共1页<1>
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