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牛牧童

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 18篇衬底
  • 13篇SUB
  • 10篇氮化
  • 10篇氮化物
  • 10篇化物
  • 10篇二极管
  • 10篇发光
  • 10篇发光二极管
  • 10篇成核
  • 8篇极紫外
  • 6篇砂纸
  • 6篇图形衬底
  • 6篇ALN薄膜
  • 4篇深紫外
  • 2篇条纹
  • 2篇阻挡层
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇绿光
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石

机构

  • 18篇西安电子科技...

作者

  • 18篇张进成
  • 18篇李培咸
  • 18篇许晟瑞
  • 18篇郝跃
  • 18篇牛牧童
  • 14篇林志宇
  • 10篇孟锡俊
  • 10篇赵颖
  • 8篇姜腾
  • 6篇范晓萌

年份

  • 8篇2019
  • 1篇2018
  • 8篇2017
  • 1篇2015
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED结构及其制作方法
本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺...
许晟瑞郝跃任泽阳张进成李培咸姜腾蒋仁渊牛牧童
文献传递
基于m面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的半极性AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于m面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al<S...
许晟瑞赵颖范晓萌李培咸牛牧童张进成林志宇姜腾郝跃
基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的c面Al<Sub>2<...
许晟瑞赵颖杜金娟张进成牛牧童林志宇李培咸姜腾郝跃
基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑230...
许晟瑞彭若诗范晓萌林志宇刘大为张进成孟锡俊李培咸牛牧童马德璞郝跃
基于m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极...
许晟瑞彭若诗杜金娟李培咸刘大为张进成李雨洋黄俊牛牧童黄钰智孟锡俊郝跃
文献传递
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al<Sub>2</...
许晟瑞赵颖范晓萌李培咸牛牧童张进成林志宇姜腾郝跃
文献传递
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
许晟瑞彭若诗赵颖李培咸刘大为张进成孟锡俊林志宇牛牧童陶鸿昌郝跃
基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
许晟瑞彭若诗赵颖林志宇孟锡俊张进成刘大为李培咸牛牧童黄俊郝跃
文献传递
基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑230...
许晟瑞彭若诗范晓萌林志宇刘大为张进成孟锡俊李培咸牛牧童马德璞郝跃
文献传递
基于m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极...
许晟瑞彭若诗杜金娟李培咸刘大为张进成李雨洋黄俊牛牧童黄钰智孟锡俊郝跃
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