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宋扬

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：渤海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省科技厅基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 3篇动力工程及工...

主题

  • 8篇电池
  • 5篇硅电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇频域有限差分
  • 3篇频域有限差分...
  • 3篇Ⅰ-Ⅴ特性
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇有限差分
  • 2篇吸收损耗
  • 2篇背反
  • 1篇有限差分法
  • 1篇有源层
  • 1篇体缺陷
  • 1篇透镜
  • 1篇能源
  • 1篇缺陷态
  • 1篇微腔
  • 1篇微透镜
  • 1篇陷光结构

机构

  • 8篇渤海大学

作者

  • 8篇宋扬
  • 7篇陆晓东
  • 7篇赵洋
  • 7篇王泽来
  • 5篇张金晶
  • 2篇吕航
  • 2篇张宇峰
  • 1篇王欣欣

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 2篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
太阳电池背反镜的吸收损耗性质研究
2016年
基于频域有限差分法和入射光场在平板型和织构型非晶硅电池内的传输过程,详细分析了Ag背反镜的吸收性质。研究表明:导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收是两种电池结构Ag背反镜的主要吸收机制;在长波段,平板型电池结构的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收均较弱,其Ag背反镜的吸收很小(小于3%),而织构型电池结构可产生较强的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收,其Ag背反镜的吸收较大(某些特殊波长的吸收达50%);织构型电池结构可有效拓展入射光单程通过有源层被完全吸收的波长范围。
陆晓东赵洋王泽来宋扬张金晶
关键词：频域有限差分法太阳电池吸收损耗
体缺陷性质对晶硅电池暗I-V特性的影响
2016年
采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明:晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和效率等参数均发生退化;在反向偏压下,受主型缺陷的密度增加,不会引起不同偏压下晶硅电池暗电流的明显变化,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会引起各偏压下晶硅电池暗电流出现明显变化;在正向偏压下,受主型缺陷可很好地保持晶硅电池暗I-V特性曲线基本性质,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会导致晶硅电池暗I-V特性曲线的性质发生明显变化。
陆晓东宋扬王泽来赵洋张金晶
关键词：有限差分法晶体缺陷
非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响
2016年
利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小。此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制。
陆晓东宋扬赵洋王泽来张金晶
基于微透镜管理光场的新型晶硅电池研究
随着能源的日益枯竭,为有效利用太阳能这一可再生清洁能源,人们研究出了太阳能电池。近年来,光伏产业发展迅速,电池市场中出现了各种各样的太阳能电池,但实用化的太阳电池仍以晶硅太阳电池为主,且预计在未来相当长一段时间内,其仍将...
宋扬
关键词：能源微透镜仿真计算光电转换效率
文献传递
基于暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究
2017年
暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段。本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,并给出了利用暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V^0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据。
宋扬陆晓东王泽来赵洋吕航张宇峰
光学微腔型a-Si薄膜电池陷光结构设计
2017年
先基于频域有限差分法和a-Si材料的有效吸收波长范围,利用光场分布、通光效率和有源层吸收谱等优化了有源层厚度为300 nm的a-Si电池用光学微腔陷光结构的缓冲层厚度和光学微腔通光孔尺寸,并对电池光电流密度谱、总电流密度和电池输出参数进行了计算分析。研究表明:缓冲层厚度为2.6μm,通光孔直径Φ=D×0.8/8时,电池有源层具有最大的吸收效率;优化电池的短路电流为25.9225 m A/cm^2,优于其它陷光结构获得的短路电流。
宋扬陆晓东王欣欣赵洋王泽来
关键词：A-SI太阳电池频域有限差分法光学微腔陷光结构
有源层表面性质对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响
2017年
利用有限差分法求解半导体器件基本方程,研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明:当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷,且三者起施主型和受主型陷阱作用时,正向偏压下的晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线与理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线相同,但当正向偏压大于PN开启电压0.59V,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线,且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大;当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线;就对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响而言,复合中心最大,施主型次之,受主型最小。
陆晓东宋扬王泽来赵洋张宇峰吕航张金晶
关键词：缺陷态有限差分
非晶硅太阳电池用Ag背反镜的吸收损耗
2016年
利用频域有限差分法,分析了两种典型非晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型非晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由银材料的本征吸收和非晶硅有源层导模共振效应引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的非晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型非晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰的峰值大于平板型非晶硅电池的吸收峰峰值。
陆晓东王泽来宋扬赵洋张金晶
关键词：非晶硅太阳电池吸收损耗频域有限差分法
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