张超
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安科技大学电气与控制工程学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国防科技技术预先研究基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 空位缺陷及Mg替位对纤锌矿(Ga,Mn)N电子结构和磁光性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似(GGA+U)平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,(Mn,Mg)共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超胞模型,分别对所有模型的能带结构、电子态密度、能量以及光学性质进行了计算.计算结果表明:与纯的GaN相比,Mn掺杂GaN体系的体积略有增大,掺杂体系居里温度能够达到室温以上;随着双掺杂Mn-Mn间距的增大,体系总能量和形成能升高、稳定性下降、掺杂越难;(Mn,Mg)共掺杂并不能有效增大掺杂体系磁矩,也不能达到提高掺杂体系居里温度的作用;Ga空位缺陷和N空位缺陷的存在不利于Mn掺杂GaN形成稳定的铁磁有序.此外,Mn离子的掺入在费米能级附近引入自旋极化杂质带,正是由于费米能级附近自旋极化杂质带中不同电子态间的跃迁,介电函数虚部在0.6868eV附近、光吸收谱在1.25eV附近分别出现了一个较强的新峰.
- 徐大庆李培咸娄永乐岳改丽张超张岩刘宁庄杨波
- 关键词：第一性原理电子结构磁光性能
