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马海力

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电极
  • 4篇流层
  • 4篇功函数
  • 4篇RRAM
  • 3篇氧化法
  • 2篇整流
  • 2篇整流特性
  • 1篇电学
  • 1篇铁电
  • 1篇退火
  • 1篇溅射
  • 1篇XO2
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇新结构
  • 1篇TIN

机构

  • 5篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇冯洁
  • 5篇马海力
  • 4篇陈小荣
  • 1篇朱曦

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法
本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，...
马海力冯洁陈小荣
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退火参数对铁电TiN/HfxZr1-xO2/TiN薄膜器件的电学性能影响被引量：1
2020年
采用磁控溅射法制备了Zr含量占比为0.134和0.156的TiN/HfxZr1-xO2/TiN结构的薄膜器件。对该器件进行了不同条件下的退火实验。研究了HfxZr1-xO2器件的电流、极化和循环特性,以及特性随退火温度和退火时间改变的变化规律,并结合微观结构表征手段,对器件特性随退火条件变化的规律做出了解释。在此基础上,总结出溅射法制备氧化铪锆薄膜的适用退火条件。实验结果表明,当退火温度低于氧化铪的居里温度时,退火后的器件仍表现出顺电性而不具有铁电性。Zr含量为0.156的HfxZr1-xO2器件在氧气中快速退火的最佳退火条件为:温度600℃、退火时间50 s。适当延长退火时间可以提高器件性能。
朱曦马海力高天冯洁吕杭炳
关键词：磁控溅射退火
具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法
本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置...
马海力冯洁陈小荣
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具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法
本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置...
马海力冯洁陈小荣
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带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法
本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，...
马海力冯洁陈小荣
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