2025年2月13日
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任小芳
作品数:
6
被引量:2
H指数:1
供职机构:
华中科技大学
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相关领域:
文化科学
理学
电子电信
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合作作者
林响
华中科技大学
涂良成
华中科技大学
王秋
华中科技大学
周泽兵
华中科技大学
邱鹏
华中科技大学
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1篇
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主义
机构
6篇
华中科技大学
作者
6篇
任小芳
2篇
周泽兵
2篇
王秋
2篇
涂良成
2篇
林响
1篇
邱鹏
年份
2篇
2024
1篇
2022
1篇
2020
1篇
2019
1篇
2014
共
6
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一种激光干涉仪及其使用方法
本发明公开了一种激光干涉仪及其使用方法,属于高精度位移测量和高精度惯性传感技术领域。设置的激光干涉仪将测量激光依次通过设置的光纤环形器、光纤准直器和消偏振分光棱镜后,使得光纤准直器出射的测量激光与中心穿孔的介质膜反射镜垂...
林响
颜浩
邱鹏
梁浴榕
周泽兵
任小芳
学术资本主义对工科硕士生培养的影响研究——以华中科技大学为例
知识与经济全球化成为当今世界的重要发展特征,因此高等教育也发生了改变,其市场化行为越来越明显,“学术资本主义”也逐渐在大学中出现并不断流行开来。Slaughter和Leslie认为“院系及其教师为确保外部资金的市场活动或...
任小芳
关键词:
硕士生教育
工科学生
学术资本主义
文献传递
一种二面角光学测量装置及方法
本发明公开了一种二面角光学测量装置及方法,属于二面角测量技术领域,通过设置的二面角光学测量装置,将测量激光依次通过激光准直器和分光棱镜后按照比例分光,分成反射光和透射光;反射光和透射光对应经过第一反射镜和第二反射镜反射后...
颜浩
林响
梁浴榕
周泽兵
任小芳
一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器的制备方法
本发明公开一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器的制备方法,包括:在SOI硅片的支撑层确定四个待刻蚀的刻蚀槽的位置;在SOI硅片的支撑层刻蚀出四个待刻蚀的刻蚀槽;在SOI硅片的器件层刻蚀出多个绝缘层释放孔;通过绝缘层释放...
王秋
刘骅锋
涂良成
任小芳
文献传递
基于磁力显微镜的自旋和速度依赖的新相互作用探测
粒子物理的标准模型(简称标准模型)描述了所有已被发现的基本粒子和除引力之外的三种基本相互作用,取得了巨大的成功,但是仍存在公认的它所不能解决的基本物理问题,例如,标准模型没有包含引力,无法解释暗物质、暗能量和强CP问题等...
任小芳
关键词:
粒子物理
自旋相互作用
磁力显微镜
一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器的制备方法
本发明公开一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器的制备方法,包括:在SOI硅片的支撑层确定四个待刻蚀的刻蚀槽的位置;在SOI硅片的支撑层刻蚀出四个待刻蚀的刻蚀槽;在SOI硅片的器件层刻蚀出多个绝缘层释放孔;通过绝缘层释放...
王秋
刘骅锋
涂良成
任小芳
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