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曹蔚然

作品数：353 被引量：0H指数：0
供职机构：TCL集团股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 353篇中文专利

领域

  • 48篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 9篇理学
  • 5篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 157篇发光
  • 143篇量子
  • 138篇量子点
  • 116篇空穴
  • 93篇发光层
  • 65篇空穴注入
  • 65篇空穴注入层
  • 64篇电子传输
  • 62篇空穴传输
  • 61篇电子传输层
  • 58篇空穴传输层
  • 53篇底电极
  • 38篇纳米
  • 36篇载流子
  • 34篇光效
  • 34篇光效率
  • 33篇金属
  • 29篇二极管
  • 28篇发光二极管
  • 26篇电子注入

机构

  • 353篇TCL集团股...

作者

  • 353篇曹蔚然
  • 228篇钱磊
  • 184篇杨一行
  • 74篇梁柱荣
  • 59篇王宇
  • 47篇刘佳
  • 43篇陈崧
  • 38篇刘政
  • 35篇李龙基
  • 13篇李乐
  • 2篇聂志文

年份

  • 1篇2021
  • 53篇2020
  • 166篇2019
  • 49篇2018
  • 56篇2017
  • 28篇2016
共 353 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种QLED器件及其制备方法、高压处理装置
本发明公开一种QLED器件及其制备方法、高压处理装置，其中所述制备方法包括当功能传输层在器件上完成沉积后，在惰性环境下，对所述功能传输层进行高压处理的步骤。本发明通过对功能传输层进行高压处理，使QLED器件中的各功能层材...
王宇曹蔚然钱磊
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一种复合金属氧化物及其制备方法、应用
本发明公开了一种复合金属氧化物及其制备方法、应用，所述制备方法包括步骤：按摩尔份计，将1份A盐溶液与x份B盐溶液混合，得到混合液；加热使A盐和B盐发生氧化还原反应，即得到复合金属氧化物；其中1<x≤2，A为正二价态...
王宇曹蔚然
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封装薄膜、电子装置及其制备方法
本发明公开了一种封装薄膜和电子装置及其制备方法。本发明封装薄膜包括陶瓷膜层与所述陶瓷膜层层叠结合的玻璃釉膜层。本发明电子装置包括用于封装电子元件的本发明封装薄膜。本发明封装薄膜通过氮化物陶瓷膜层与两层氧化物陶瓷膜层构成复...
朱佩曹蔚然
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一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法
本发明公开一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法，通过将有机小分子掺杂到器件金属电极表面，采用H等离子对所述金属电极进行处理，使所述金属电极表面的金属粒子与有机小分子发生交联，在所述电极表面生成一有机薄膜；然后控制...
向超宇钱磊曹蔚然杨一行
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QLED器件及其制备方法
本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。QLED器件包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，空穴注入层包括层叠设置的硫化物层和氧化物层；硫化物层的材...
王宇曹蔚然李龙基
一种全无机量子点发光二极管及其制备方法
本发明公开一种全无机量子点发光二极管及其制备方法，全无机量子点发光二极管依次包括：衬底、底电极、空穴功能层、核壳结构量子点发光层、第一电子传输层以及顶电极，其中空穴功能层以及第一电子传输层均由无机半导体材料组成，所述空穴...
曹蔚然钱磊杨一行
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一种基于p‑i‑n结构的QLED器件及其制备方法
本发明公开一种基于p‑i‑n结构的QLED器件及其制备方法，包括衬底、底电极、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及顶电极，其中，本发明一方面通过以p型材料作为空穴传输层以及以n型材料作为电子传...
钱磊杨一行曹蔚然向超宇陈崧
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量子点发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述空穴注入层中含有2D TMDs/C复合材料，所述2D TMDs/C复合材料为碳修饰的2D ...
李龙基曹蔚然王宇
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复合发光层、QLED器件及其制备方法
复合发光层、QLED器件及其制备方法。本发明提供了一种复合发光层，所述复合发光层为三维石墨烯固定的量子点发光层，包括多孔三维网状材料和固定在所述多孔三维网状材料上的量子点，其中，所述多孔三维网状材料中含有三维石墨烯和/或...
梁柱荣曹蔚然刘佳
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量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件
本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将量子点与载体混合于溶剂中，得到混合液；通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜；通过HHIC技术对含量子点与载体的混合薄膜进行交联处理，...
向超宇钱磊曹蔚然杨一行
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