2025年7月24日
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邓高强
作品数:
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电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
罗小蓉
电子科技大学
魏杰
电子科技大学
张波
电子科技大学
孙涛
电子科技大学
黄琳华
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2016
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一种短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有交替NP耐压缓冲层结构的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统的短路阳极LIGBT相比,无高浓度的场截止层,而在阳极区域引入交替分布的N型岛区和P型岛区。在正向阻断时,P型岛区...
罗小蓉
赵哲言
邓高强
黄琳华
孙涛
张波
一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT,其技术方案是:在N型高阻半导体材料表面形成P型区,所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质...
罗小蓉
邓高强
周坤
刘庆
孙涛
黄琳华
张波
一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比,阳极端引入连接阳极电位的阳极槽,其导电材料里面是高浓度的P型掺杂,且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区;...
罗小蓉
杨洋
魏杰
欧阳东法
王晨霞
樊雕
赵哲言
孙涛
邓高强
具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件。该结构通过添加一个与半桥下管并联的,具有与下管相同开关状态的Sub晶体管,在Sub晶体管开启的过程中实现了对衬底中所积累的电...
薛刚
邓高强
李江欢
骆成涛
魏杰
罗小蓉
一种压接封装功率模块短路失效声发射监测系统及方法
本发明属于功率半导体监测技术领域,具体涉及一种压接封装功率模块短路失效声发射监测系统及方法。监测系统包括声波传感器阵列、模块特征参量测量单元、多通道信号采集单元、上位机;声波传感器阵列用于测量压接封装功率模块失效瞬时声信...
刘人宽
马昕宇
吴宇鑫
魏杰
邓高强
魏雨夕
罗小蓉
具有双层浮空场板和集成MOS自适应控制的SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有双层浮空场板和集成MOS自适应控制的SOI LIGBT。本发明的主要特征在于:在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管,且通过氧化隔离槽互相隔离,在漂移区表面采用间断的双层浮空...
魏杰
卢金龙
柳辛迪
魏雨夕
谭佳蕾
戴恺纬
邓高强
罗小蓉
一种具有双栅的RC-IGBT
本发明属于功率半导体技术领域,具体涉及一种具有双栅RC‑IGBT。本发明相对与传统结构,主要在底部集电区引入第二沟槽栅。新器件正向导通时,由于第二沟槽栅相对于集电极加一负电压,使第二沟槽栅外围形成P反型层,增加了注入面积...
罗小蓉
黄琳华
邓高强
张波
一种槽栅短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种槽栅短路阳极SOI LIGBT。与传统的短路阳极LIGBT相比,阳极端引入连接阳极电位的阳极槽,且在N+阳极区正下方引入P体区;阴极区引入槽栅和连接阴极的阴极槽。器件关断时,阳极槽接...
罗小蓉
赵哲言
黄琳华
邓高强
孙涛
张波
一种具有集成NMOS管的LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于:在P+集电区附近引入一个N+集电区,并在集电区上方集成了NMOS管,该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开,一端与集电...
杨可萌
戴恺纬
罗小蓉
马臻
邓高强
魏杰
李聪聪
张森
李杰
一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管。本发明主要特征为,刻蚀P‑GaN层时,保留栅极下方的P‑GaN层,实现增强型的同时,在器件另一端保留部分未刻蚀的P‑GaN层,与源极金...
赵智家
魏杰
毕西豪
邓高强
张鹏飞
谢欣桐
薛刚
骆成涛
杨铖
李江欢
罗小蓉
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