您的位置： 专家智库 > >

邓高强

作品数：50 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 20篇电子电信

主题

  • 17篇LIGBT
  • 14篇损耗
  • 13篇关断
  • 13篇关断损耗
  • 12篇导通
  • 12篇集电区
  • 11篇阳极
  • 10篇IGBT
  • 9篇导通压降
  • 9篇漂移区
  • 8篇电阻
  • 8篇高阻
  • 8篇半导体
  • 7篇短路
  • 6篇功率半导体
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇阴极
  • 5篇闩锁
  • 5篇闩锁效应

机构

  • 50篇电子科技大学

作者

  • 50篇邓高强
  • 49篇罗小蓉
  • 26篇魏杰
  • 25篇张波
  • 23篇孙涛
  • 18篇黄琳华
  • 17篇周坤
  • 9篇刘庆
  • 5篇杨洋
  • 5篇吴俊峰
  • 4篇张森
  • 4篇李聪聪
  • 3篇张鹏飞
  • 3篇苏伟
  • 3篇薛刚
  • 2篇宋旭
  • 2篇李杰
  • 2篇张彦辉
  • 2篇马达
  • 2篇卢金龙

年份

  • 4篇2025
  • 9篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 7篇2016
共 50 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有交替NP耐压缓冲层结构的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统的短路阳极LIGBT相比，无高浓度的场截止层，而在阳极区域引入交替分布的N型岛区和P型岛区。在正向阻断时，P型岛区...
罗小蓉赵哲言邓高强黄琳华孙涛张波
文献传递
一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质...
罗小蓉邓高强周坤刘庆孙涛黄琳华张波
一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，其导电材料里面是高浓度的P型掺杂，且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区；...
罗小蓉杨洋魏杰欧阳东法王晨霞樊雕赵哲言孙涛邓高强
文献传递
具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件。该结构通过添加一个与半桥下管并联的，具有与下管相同开关状态的Sub晶体管，在Sub晶体管开启的过程中实现了对衬底中所积累的电...
薛刚邓高强李江欢骆成涛魏杰罗小蓉
一种压接封装功率模块短路失效声发射监测系统及方法
本发明属于功率半导体监测技术领域，具体涉及一种压接封装功率模块短路失效声发射监测系统及方法。监测系统包括声波传感器阵列、模块特征参量测量单元、多通道信号采集单元、上位机；声波传感器阵列用于测量压接封装功率模块失效瞬时声信...
刘人宽马昕宇吴宇鑫魏杰邓高强魏雨夕罗小蓉
具有双层浮空场板和集成MOS自适应控制的SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有双层浮空场板和集成MOS自适应控制的SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离，在漂移区表面采用间断的双层浮空...
魏杰卢金龙柳辛迪魏雨夕谭佳蕾戴恺纬邓高强罗小蓉
一种具有双栅的RC-IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双栅RC‑IGBT。本发明相对与传统结构，主要在底部集电区引入第二沟槽栅。新器件正向导通时，由于第二沟槽栅相对于集电极加一负电压，使第二沟槽栅外围形成P反型层，增加了注入面积...
罗小蓉黄琳华邓高强张波
文献传递
一种槽栅短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种槽栅短路阳极SOI LIGBT。与传统的短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，且在N+阳极区正下方引入P体区；阴极区引入槽栅和连接阴极的阴极槽。器件关断时，阳极槽接...
罗小蓉赵哲言黄琳华邓高强孙涛张波
文献传递
一种具有集成NMOS管的LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于：在P+集电区附近引入一个N+集电区，并在集电区上方集成了NMOS管，该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开，一端与集电...
杨可萌戴恺纬罗小蓉马臻邓高强魏杰李聪聪张森李杰
文献传递
一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管。本发明主要特征为，刻蚀P‑GaN层时，保留栅极下方的P‑GaN层，实现增强型的同时，在器件另一端保留部分未刻蚀的P‑GaN层，与源极金...
赵智家魏杰毕西豪邓高强张鹏飞谢欣桐薛刚骆成涛杨铖李江欢罗小蓉
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0