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文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 3篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 2篇填充值
  • 2篇组件
  • 2篇组件测试
  • 2篇晶体硅
  • 2篇功率
  • 2篇功率校准
  • 2篇光伏
  • 2篇光伏组件
  • 2篇硅片
  • 2篇参数变化
  • 2篇测试仪
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇电性能
  • 1篇电性能参数
  • 1篇电阻
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇掩膜

机构

  • 6篇常州天合光能...

作者

  • 6篇李志伟
  • 2篇巢芳家
  • 2篇贺洁
  • 2篇平飞林
  • 1篇李毕武
  • 1篇辛星亮
  • 1篇羊君

传媒

  • 2篇第十一届中国...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
晶体硅太阳电池制绒方法
本发明涉及晶体硅太阳电池片的制备技术领域,特别是一种晶体硅太阳电池制绒方法,在硅片表面制作掩膜,然后在掩膜上开的掩膜窗口,再通过磁场定向作用的电化学腐蚀方法腐蚀出绒面结构,电化学腐蚀液由DMF、HF和H<Sub>2</S...
李志伟
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太阳电池烧结炉的履带
本实用新型属于太阳能电池片烧结设备技术领域,特别是一种新型太阳电池烧结炉的履带。该履带,具有横条,多条横条相互平行并且间隔一定距离构成了履带的基本骨架,履带的基本骨架的分为中部和两侧部,在相邻的横条之间编织纵条,横条与纵...
李志伟
文献传递
高折射率对晶体硅太阳能电池电性能的影响
因氮化硅良好的化学和电学性能,将氮化硅作为减反射和钝化膜已经广泛的应用于晶体硅太阳电池的工业化生产。本文以目前常规的工业化高效电池工艺为基础,考察了高折射率对晶硅太阳能电池主要电性能参数的影响。实验表明当折射率提高到2....
巢芳家贺洁李志伟平飞林何达能
关键词:高折射率太阳能电池电性能参数
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多晶晶锭不同位置对应硅片的质量及电池效益的研究和改善
现多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是:长晶方向为由下往上,这就使得分凝系数大于1的极少部分金属元素及氧元素集中分布在晶锭底部,大部分分凝系数小于l的金属元素及大部分非金属杂质分布在铸锭的顶部,从而使少子寿命呈现低部和顶部低、...
贺洁巢芳家李志伟李毕武辛星亮羊君平飞林何达能
关键词:少子寿命分凝系数多晶硅
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光伏组件测试仪校准方法
本发明涉及一种光伏组件测试仪校准方法,该方法为:用可确定电性能未变化的标准组件进行首次校准,首次校准采用功率校准方式,并确定影响填充值的机台参数;在组件测试仪的后续校准中,以首次校准时确定的影响填充值的机台参数,采用短路...
李志伟
文献传递
光伏组件测试仪校准方法
本发明涉及一种光伏组件测试仪校准方法,该方法为:用可确定电性能未变化的标准组件进行首次校准,首次校准采用功率校准方式,并确定影响填充值的机台参数;在组件测试仪的后续校准中,以首次校准时确定的影响填充值的机台参数,采用短路...
李志伟
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