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姚金才

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 3篇封装
  • 3篇封装方法
  • 3篇半导体
  • 2篇电极接触
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电阻
  • 2篇探测器
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇迁移率
  • 2篇吸气剂
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇封装结构
  • 2篇半导体器件
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇导体
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻

机构

  • 8篇比亚迪汽车股...
  • 1篇深圳比亚迪微...

作者

  • 8篇姚金才
  • 7篇陈宇
  • 3篇朱超群
  • 2篇王韬
  • 2篇刘海强

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种红外探测器封装结构及其制作方法
本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法，所述方法包括在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极，在所述红外光反射层和底接触电极上形成由探测器第一牺牲层释放后的第一空间层，在所述第一空间层上部分覆盖敏感材料探测层...
姚金才刘海强王韬陈宇
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一种P型SiC欧姆接触材料及其制备方法
为克服现有SiC材料P型欧姆接触存在比接触电阻率高以及退火处理导致的质量问题，本发明提供了一种P型SiC欧姆接触材料，包括SiC衬底、P型外延层和NiAl合金层，所述P型外延层形成于所述SiC衬底上，所述NiAl合金层位...
姚金才陈宇
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一种红外探测器封装结构及其制作方法
本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法，所述方法包括在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极，在所述红外光反射层和底接触电极上形成由探测器第一牺牲层释放后的第一空间层，在所述第一空间层上部分覆盖敏感材料探测层...
姚金才刘海强王韬陈宇
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高电子迁移率半导体器件及其制备方法
本发明公开了一种高电子迁移率半导体器件及其制备方法，所述高电子迁移率半导体器件器件包括：衬底(1)，上部间隔设置有第一P型注入区(2L)和第二P型注入区(2R)，所述第二P型注入区(2R)位于所述第一P型注入区(2L)的...
姚金才朱超群陈宇
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SiC基器件的栅介质层结构及栅介质层的形成方法
本发明公开了一种SiC基器件的栅介质层的形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供SiC衬底；在所述SiC衬底之上形成氧化硅层；在所述氧化硅层之上形成金属层；对所述金属层进行热处理以形成金属氧化物层；以及在所述金属氧化层之上...
姚金才朱超群陈宇
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一种肖特基二极管
为克服现有技术中的肖特基二极管导通电阻高、导通电压高的问题，本实用新型提供一种肖特基二极管，包括衬底；衬底下表面覆盖有阴极；衬底上表面依次层叠有缓冲层、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和阳极；阳极包括第一阳极电极和...
姚金才陈宇朱超群
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半导体器件及其制备方法
本发明提供了半导体器件及其制备方法，该方法包括：通过第一掩膜，在外延衬底中形成阱区；在第一掩膜的侧壁上形成第二掩膜，并通过第一掩膜和第二掩膜形成源区；在第二掩膜的侧壁上形成第三掩膜，并通过第一掩膜、第二掩膜和第三掩膜形成...
姚金才陈宇
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MEMS圆片级真空封装方法及结构
本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装方法，该方法包括以下步骤：制作芯片圆片，芯片圆片包括：基底、MEMS、位于MEMS外围的第一焊料环、形成在第一焊料环之外的电极，其中MEMS和电极通过基底表面的连接层相连；制作盖板圆...
姚金才陈宇
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