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文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 4篇电池
  • 3篇太阳能电池
  • 2篇电池制备
  • 2篇镀膜
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化膜
  • 2篇太阳能
  • 2篇减反射膜
  • 2篇反应炉
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇试管
  • 1篇试管架
  • 1篇抬起
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能电池片
  • 1篇拉环
  • 1篇滑道
  • 1篇硅酸
  • 1篇NH3

机构

  • 5篇浙江正泰太阳...

作者

  • 5篇陆川
  • 5篇黄海燕
  • 5篇梁吉连
  • 4篇王仕鹏
  • 4篇张剑锋
  • 2篇江坚
  • 2篇卢玉荣
  • 2篇孙瑜
  • 1篇张剑峰
  • 1篇韩玮智
  • 1篇张健
  • 1篇刘平

传媒

  • 2篇太阳能

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
PERC太阳能电池的镀膜方法、制备方法及PERC太阳能电池
本发明提供了一种PERC太阳能电池的镀膜方法,发生在PERC太阳能电池制备过程中对硅片进行制绒、扩散、刻蚀和去玻璃杂质之后、以及硅片背面局部开槽之前,该镀膜方法包括:在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜以及在该硅片的背面形成...
梁吉连江坚张剑锋王仕鹏黄海燕陆川
文献传递
SiN_x减反射层对组件抗PID能力影响被引量:2
2016年
利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiN_x:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明,当折射率<2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率>2.16时,抗PID效果显著;即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果,控制SiN_x膜电池片的折射率为2.16±0.02;即淀积1的较佳流量比NH3/SiH4为4.83,淀积2的较佳流量比NH_3/SiH_4为13.33,在此配比下电池片外观正常,电性能稳定性较好,同时组件抗PID测试300 h后衰减<5%。
梁吉连刘平卢玉荣张剑锋王仕鹏黄海燕陆川
关键词:SINX
太阳能电池片测试探针排
本实用新型实施例中提供了一种太阳能电池片测试探针排,该探针排包括:探针支架和多个探针组,其中,探针支架用于固定探针组;多个探针组沿探针支架横向排布地固定于探针支架,多个探针组与分段式电池片主栅上的多个印刷电极相匹配;每个...
梁吉连孙瑜张剑锋黄海燕陆川
文献传递
PERC太阳能电池的镀膜方法、制备方法及PERC太阳能电池
本发明提供了一种PERC太阳能电池的镀膜方法,发生在PERC太阳能电池制备过程中对硅片进行制绒、扩散、刻蚀和去玻璃杂质之后、以及硅片背面局部开槽之前,该镀膜方法包括:在待镀膜的硅片的正面形成减反射膜以及在该硅片的背面形成...
梁吉连江坚张剑锋王仕鹏黄海燕陆川
多晶硅酸制绒工艺研究被引量:4
2014年
利用化学腐蚀法制备多晶硅绒面,根据不同酸液配比研究了硅表面暗纹形成情况及对电池电性能的影响。实验结果表明:在富HNO3的环境下可有效减少暗纹的生成,通过实验优化工艺得出较佳的酸液配比为HF∶HNO3∶H2O=1∶4.5∶3.2,在此配比下电池片外观正常,电性能稳定性较好。
梁吉连张健孙瑜张剑峰卢玉荣韩玮智王仕鹏黄海燕陆川
关键词:多晶硅太阳电池
共1页<1>
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