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唐翠

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇掩膜
  • 1篇导体
  • 1篇电极
  • 1篇掩膜版
  • 1篇预充
  • 1篇栅极
  • 1篇配电
  • 1篇配电系统
  • 1篇外延层
  • 1篇接触孔
  • 1篇接触器
  • 1篇接线
  • 1篇接线端
  • 1篇金属
  • 1篇金属电极
  • 1篇控制器
  • 1篇控制器件
  • 1篇沟槽
  • 1篇光刻
  • 1篇分压

机构

  • 3篇比亚迪汽车股...

作者

  • 3篇唐翠
  • 2篇陈宇
  • 1篇刘厚超
  • 1篇李俊俏
  • 1篇朱超群
  • 1篇薛鹏辉

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
接触器、车辆的充配电系统、车辆以及充电桩
本发明公开了一种接触器、车辆的充配电系统、车辆以及充电桩，接触器包括：至少两个接线端组，每个接线端组包括第一接线端和第二接线端；至少两个主接合导体，每个主接合导体与对应的第一接线端相连；预充接合导体和预充电阻，预充接合导...
黄托弟薛鹏辉柴雪强唐翠龙严松
半导体结构及其形成方法
本发明提供一种利用沟槽工艺形成的半导体结构及其形成方法，通过设置与栅极沟槽连接的栅极引出沟槽，该栅极引出沟槽通过栅极接触孔与栅极金属电极接触，替代传统的栅极接触沟槽与栅极金属电极直接接触的结构，形成该半导体结构仅需要使用...
娄翠红刘厚超唐翠陈宇
文献传递
一种沟槽MOSFET及其制造方法
本发明提出了一种沟槽MOSFET及其制造方法，该沟槽MOSFET包括衬底及其上形成的外延层，形成在该外延层内的沟槽及被沟槽分割的轻掺杂区，在沟槽的内表面形成有第一介质层，在沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层，在轻掺杂...
李俊俏唐翠朱超群陈宇
文献传递
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