您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇势垒
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇肖特基接触
  • 3篇金属
  • 3篇二极管
  • 2篇电流正反馈
  • 1篇电压
  • 1篇电压比
  • 1篇电源
  • 1篇电源管理
  • 1篇端电压
  • 1篇正向压降
  • 1篇直流
  • 1篇直流电
  • 1篇直流电源
  • 1篇能量转换
  • 1篇金属硅化物
  • 1篇管理器
  • 1篇硅化物

机构

  • 4篇比亚迪汽车股...

作者

  • 4篇高云飞
  • 3篇王艳春
  • 1篇黄震宇
  • 1篇屈擘
  • 1篇赵一飞

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种高温肖特基二极管
本发明提出了一种高温肖特基二极管,其包括n型半导体衬底、P型重掺杂环状区域、合金层、绝缘区域、势垒金属层、聚酰亚胺保护层和阳极金属。本发明的肖特基二极管通过绝缘区域对势垒金属区域和肖特基接触区域进行分割,使得通过肖特基二...
王艳春高云飞李旺勤
文献传递
一种直流电源管理器、电源转化电路及电池包
本实用新型适用于电源管理领域,提供了一种直流电源管理器,所述直流电源管理器包括:检测电源输入端电压、电源输出端电压,输出相应的保护控制信号和芯片内电路上电完成指示信号,保护直流电源管理器自身安全的保护单元;与所述保护单元...
赵一飞屈擘高云飞
文献传递
一种低正向压降肖特基二极管及其制造方法
本发明公开了一种低正向压降肖特基二极管,其特征在于:从下到上依次包括:阴极金属(1)、第一导电类型阴极区(2)、第一导电类型衬底(3)、第一导电类型外延层(4)、势垒金属或金属硅化物(10)、阳极金属(5);第一导电类型...
王艳春高云飞李旺勤黄震宇
文献传递
一种高温肖特基二极管
本发明提出了一种高温肖特基二极管,其包括n型半导体衬底、P型重掺杂环状区域、合金层、绝缘区域、势垒金属层、聚酰亚胺保护层和阳极金属。本发明的肖特基二极管通过绝缘区域对势垒金属区域和肖特基接触区域进行分割,使得通过肖特基二...
王艳春高云飞李旺勤
文献传递
共1页<1>
聚类工具0