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杨瑾
作品数:
9
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供职机构:
上海大学
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
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合作作者
王林军
上海大学
黄健
上海大学
季欢欢
上海大学
周家伟
上海大学
张淑玮
上海大学
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磁控溅射
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集成式
机构
9篇
上海大学
作者
9篇
杨瑾
8篇
王林军
7篇
黄健
6篇
周家伟
6篇
季欢欢
4篇
任兵
4篇
张磊
4篇
胡艳
4篇
张淑玮
2篇
张继军
2篇
汪琳
2篇
王宇彤
2篇
陈梦斐
2篇
张电
年份
2篇
2019
1篇
2018
2篇
2017
3篇
2016
1篇
2015
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9
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具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法
本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层(ZnTe/CdTe),从而达到提高CdZn...
王林军
季欢欢
杨瑾
黄健
吴杨琳
周家伟
沈意斌
张继军
文献传递
同质缓冲层对磁控溅射Ga2O3薄膜性能的影响
薄膜膜的结晶质量对光电器件的性能有着重要影响。然而,由于晶格失配和不同的热膨胀系数,难以通过直接沉积的方法在玻璃,蓝宝石,氧化铝和硅衬底上制备高质量的β-Ga2O3薄膜。为了改善膜结晶质量,引入了同质缓冲层来减小膜和基板...
陆元曦
黄健
杨瑾
关键词:
氧化镓
磁控溅射
具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法,本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层,所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳
周家伟
张电
季欢欢
杨瑾
张淑玮
任兵
王林军
文献传递
一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法
本发明涉及一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法,属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜,再在其上制备表面均匀,结...
黄健
杨瑾
季欢欢
陆元曦
周家伟
张磊
胡艳
王林军
文献传递
基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法,首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器,并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀,结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜,从而为实现一种B、Ga共掺...
黄健
张磊
杨瑾
陈梦斐
张淑玮
任兵
王宇彤
胡艳
王林军
具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法
本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层(ZnTe/CdTe),从而达到提高CdZn...
王林军
季欢欢
杨瑾
黄健
吴杨琳
周家伟
沈意斌
张继军
文献传递
基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法,首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器,并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀,结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜,从而为实现一种B、Ga共掺...
黄健
张磊
杨瑾
陈梦斐
张淑玮
任兵
王宇彤
胡艳
王林军
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一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法
本发明涉及一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法,属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜,再在其上制备表面均匀,结...
黄健
杨瑾
季欢欢
陆元曦
周家伟
张磊
胡艳
王林军
具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法,本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层,所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳
周家伟
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