您的位置： 专家智库 > >

张沈军

作品数：16 被引量：11H指数：2
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理

主题

  • 8篇电路
  • 7篇集成电路
  • 3篇多层布线
  • 3篇离子注入
  • 3篇布线技术
  • 2篇多晶
  • 2篇退火
  • 2篇总线
  • 2篇接口
  • 2篇接口电路
  • 2篇半导体
  • 2篇ULSI
  • 2篇VLSI
  • 2篇VLSI/U...
  • 2篇布线
  • 1篇单晶
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇电介质
  • 1篇电学

机构

  • 11篇电子工业部
  • 2篇东北微电子研...
  • 1篇电子部
  • 1篇机电部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 16篇张沈军
  • 5篇李婉莹
  • 3篇陆剑侠
  • 3篇樊崇德
  • 2篇王怀荣
  • 2篇袁凯
  • 1篇李正孝
  • 1篇姚秀华
  • 1篇李桂华
  • 1篇穆森
  • 1篇李婉莹
  • 1篇苏舟
  • 1篇王刚
  • 1篇李婉莹
  • 1篇许仲德
  • 1篇姚达
  • 1篇穆森

传媒

  • 11篇微处理机
  • 3篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子器件

年份

  • 3篇1996
  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 3篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 16 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
高浓度离子注入砷隐埋层技术
1996年
高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比，具有表面浓度高，硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平的“DYL多元逻辑八位高速机频D／A转换器”集成电路。
樊崇德陆剑侠张沈军陶星袁凯
关键词：离子注入双极型集成电路砷集成电路
用于LSI的双层布线工艺研究被引量：1
1990年
本文在实验的基础上,叙述了LSI 中的几种双层布线工艺方法,将这几种方法进行了分析比较,并从中得出结论:Si_3N_4—SiO_2方法以及 PI 方法是现行 LSI 中较为适用的双布线技术。
张沈军
关键词：布线技术LSI多层布线断条阳极氧化
美国二手半导体设备的翻新技术与市场
1994年
在实际引进工作的基础上，广泛收集了有关信息资料，就美国二手半导体设备的产生、需求、翻新技术方法以及市场情况进行了客观描述。由此对购置二手设备中常见的问题以及国内有关技术的潜在发展情况提出一些建议。
张沈军
关键词：半导体设备二手货翻新技术
LT3486四线接收器的设计与研制
1994年
本文就LT3486四线接收器电路的功能、结构、版图设计、制造工艺，以及电路的测试等情况做一简要介绍。
张沈军李婉莹刘敏王怀荣苏舟
关键词：集成电路
抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
1996年
论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中，栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。
陆剑侠李正孝张沈军许仲德陶星袁凯
关键词：CMOS电路硅
离子注入后的快速光退火技术
1989年
本文对注 BF_2、P、As 三种元素的Si 单晶样品,经过快速光退火与普通炉子退火进行了比较分析,从而得出在注入浅结的获取、载流子浓度分布、损伤恢复及过程时间等方面,快速光退火技术明显优于普通炉子退火的结论。
张沈军
关键词：离子注入载流子浓度扩展电阻退火工艺晶向半导体集成电路
PECVD及溅射／蒸发生长二氧化锡薄膜的成形技术被引量：2
1995年
针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法——等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此实现了与ＩＣ加工工艺兼容良好的ＳｎＯ＿２薄膜成形技术。
张沈军李婉莹姚达陶星
关键词：二氧化锡PECVD溅射
LT 8289总线仲裁器研制
1992年
LT8289总线仲裁器是为8086/8088多重设备/多重处理系统配套的接口电路。它为多总线主设备系统以及远程方式下的8089 IOP提供总线仲裁,它还具有双极型的缓冲与驱动能力。该电路在工艺上采用了PI为介质的双层布线及薄层外延等技术。芯片面积3.0×3.1mm^2,元件数近900个。
张沈军李婉莹
关键词：微机接口电路总线仲裁器
L26LS30双差分RS-422总线驱动器原理、设计与制造
1994年
本文就L26LS30双差分RS－422总线SR动器的电路的工作原理、功能、结构、版图设计、制造工艺以及电路的测试等情况做一简要介绍。
张沈军王刚李桂华李婉莹姚秀华
关键词：总线驱动器接口电路
多晶硅发射极技术在八位高速视频DAC中的应用
1996年
掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结是提高fT及双极集成电路工作速度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、退火及刻蚀工艺研究，确定制造高fT及β值的NPN晶体管最佳工艺条件及参数控制，研制出速度小于4ns高性能多元逻辑八位高速视频D／A转换器集成电路。该产品主要电参数性能已达到及部分超过了目前国际先进产品的水平。
樊崇德王怀荣陆剑侠朱宝法张沈军
关键词：数-模转换器视频DAC多晶硅发射极
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0