您的位置： 专家智库 > >

张绵

作品数：2 被引量：11H指数：1
供职机构：电子部更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 1篇旁栅效应
  • 1篇中位
  • 1篇可靠性
  • 1篇半绝缘
  • 1篇GAAS衬底
  • 1篇MESFET...
  • 1篇表面处理
  • 1篇衬底
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇电子部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇张绵
  • 1篇范缇文
  • 1篇何宏家
  • 1篇顾瑛
  • 1篇吴巨
  • 1篇张德胜
  • 1篇王占国

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子产品可靠...

年份

  • 2篇1997
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响被引量：10
1997年
在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．
吴巨何宏家范缇文王占国张绵
关键词：砷化镓衬底MESFETS旁栅效应
GaAs表面处理与可靠性被引量：1
1997年
本文采用不同表面处理方法制备样品，利用C-V和边栅效应测试图形研究其对肖特基势垒的正向n值、反向击穿电压和边栅效应的影响。将不同表面处理方法制备的器件进行可靠性试验。由此给出GaAs表面处理的优化方法。
顾瑛张德胜张绵
关键词：表面处理砷化镓
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0