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裴惠芳
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
供职机构:
清华大学研究院
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
广东省自然科学基金
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相关领域:
电子电信
机械工程
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合作作者
刘岩
清华大学研究院
潘国顺
清华大学研究院
戴媛静
清华大学机械工程学院摩擦学国家...
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清华大学
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作者
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戴媛静
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潘国顺
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裴惠芳
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刘岩
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摩擦学学报(...
年份
1篇
2011
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钛基片的化学机械抛光技术研究
被引量:5
2011年
采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除.
戴媛静
裴惠芳
潘国顺
刘岩
关键词:
化学机械抛光
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