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化学气相沉积法制备的石墨烯晶畴的氢气刻蚀: 2016年; 利用化学气相沉积法在抛光铜衬底上制备出六角形石墨烯晶畴,并且在高温条件下对石墨烯晶畴进行氢气刻蚀,利用光学显微镜和扫描电子显微镜对石墨烯晶畴进行观测,发现高温条件下石墨烯晶畴表面能够被氢气刻蚀出网络状和线状结构的刻蚀条纹.通过电子背散射衍射测试证明了刻蚀条纹的形态、密度与铜衬底的晶向有密切关系.通过对比实验证明了石墨烯表面上的刻蚀条纹是由于石墨烯和铜衬底的热膨胀系数不同,在降温过程中,石墨烯表面形成了褶皱,褶皱在高温氢气气氛下发生氢化反应形成的.对转移到二氧化硅衬底的石墨烯晶畴进行原子力显微镜测试,测试结果表明刻蚀条纹的形貌、密度与石墨烯表面褶皱的形貌、密度十分相似.进一步证明了刻蚀条纹是由于褶皱结构被氢气刻蚀引起的.实验结果表明,即使在六角形石墨烯晶畴表面也存在褶皱和点缺陷.本文提供了一种便捷的方法来观察铜衬底上石墨烯褶皱的分布与形态;同时,为进一步提高化学气相沉积法制备石墨烯的质量提供了更多参考.; 王彬冯雅辉王秋实张伟张丽娜马晋文张浩然于广辉王桂强; 关键词：石墨烯化学气相沉积褶皱刻蚀

CVD法生长的石墨烯晶畴的氢气刻蚀: 我们利用化学气相沉积法(CVD)在抛光Cu衬底上制备出六角单晶石墨烯晶畴，发现在高温下石墨烯晶畴能够被氨气刻蚀出条纹结构，通过电子背散射衍射(EBSD)测试，发现刻蚀条纹的形态与Cu衬底的晶向有关。通过对转移后的石墨烯进...; 王彬胡礼中; 关键词：石墨烯 CVD 褶皱刻蚀

化学气相沉积法制备石墨烯晶畴的氧气刻蚀现象研究被引量：2: 2017年; 利用化学气相沉积法在抛光铜衬底上制备出六角形石墨烯晶畴,并对石墨烯晶畴进行氧气刻蚀。刻蚀完成后,利用光学显微镜和扫描电子显微镜观察到石墨烯晶畴表面的褶皱被刻蚀成网络状和短线状形貌的刻蚀条纹,并且刻蚀条纹的密度分布差异较大。通过电子背散射衍射测试证明了铜衬底的晶向与褶皱的形貌和密度分布有密切关系,不同的铜衬底晶向会影响褶皱的形貌和密度分布。通过改变刻蚀时间和刻蚀温度,发现刻蚀温度对石墨烯的氧气刻蚀具有更重要的影响,当刻蚀温度高于250℃时,刻蚀速率明显提高。这种氧气刻蚀方法,为观察石墨烯表面褶皱的形态和密度分布提供了一种便捷的途径。; 王彬李成程孟婷婷王桂强; 关键词：石墨烯化学气相沉积褶皱刻蚀

PLD方法制备的ZnO纳米柱结构及光学特性被引量：5: 2010年; 采用无催化脉冲激光沉积(PLD)方法,在InP(100)衬底上生长纳米ZnO柱状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)谱等表征手段对ZnO纳米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。SEM图像观察到ZnO纳米柱状结构具有一定的取向性;XRD测试在2θ=34.10°处观测到强的ZnO(002)衍射峰,证实ZnO纳米柱具有较好的c轴择优取向;室温PL谱在379nm处观察到了强的自由激子发射峰(半峰全宽为19nm),未探测到深能级跃迁发射峰,表明生长的纳米ZnO结构具有很高的光学质量。; 孙开通胡礼中于东麒李娇张贺秋付强陈希王彬; 关键词：脉冲激光沉积 PL XRD

生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量：4: 2010年; 利用磁控溅射法于500℃、550℃、600℃和650℃下在A l2O3(001)衬底上生长ZnO薄。对生长的ZnO薄膜后分别进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能。; 王彬赵子文邱宇马金雪张贺秋胡礼中; 关键词：ZNO薄膜磁控溅射退火处理

石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响: 2012年; 采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著。石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高。; 吴渊文张燕辉陈志蓥王彬于广辉; 关键词：石墨烯单晶化学气相沉积拉曼电学性质

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王彬