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徐大鹏
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国家光电子工艺中心
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杨辉
国家光电子工艺中心
李顺峰
国家光电子工艺中心
张书明
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2000
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立方相GaN基LED的电化学C-V测量
作者们用电化学C-V的方法测量了MOCVD生长的双异质结结构绿光LED。采用稀盐酸腐蚀液,加正向偏压,边腐蚀边测量。实验完毕,用SEM观察表面和截面情况,发现被腐蚀区域的P-GaN/InGaN/N-GaN层已经与GaAs...
李顺峰
杨辉
徐大鹏
张书明
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LED
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