戴隆贵
- 作品数：16 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
- 本发明提出一种量子阱结构，其包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构，所述单量子阱结构为有源层的发光区，且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。所述量子阱结构能够显著提高较低禁带宽度...
- 陈弘贾海强江洋马紫光王文新王禄戴隆贵李卫
- 文献传递
- 基于激光干涉光刻的大面积低成本高分辨纳米图形的制备研究
- 戴隆贵杨帆乐艮江洋王禄马紫光贾海强王文新陈弘
- 一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法
- 本发明公开一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法，包括：在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上制备周期性纳米光刻胶点阵图形，采用干法刻蚀技术将该光刻胶点阵图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作...
- 戴隆贵丁芃陈弘贾海强王文新
- 文献传递
- 一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法被引量：1
- 2013年
- 本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法.利用激光干涉光刻技术,结合干法和湿法刻蚀工艺,直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构,省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤,在2英寸的硅(001)衬底上制备了高度有序的二维纳米孔阵结构.利用干法刻蚀产生的氟碳有机聚合物作为湿法刻蚀的掩膜,以及在干法刻蚀时对样品进行轻微的过刻蚀,使SiO2点阵图形下形成一层很薄的硅台面,是本方法的两个关键工艺步骤.扫描电子显微镜图片结果表明制备的孔阵图形大小均匀,尺寸可控,孔阵周期为450nm,方孔大小为200—280nm.
- 戴隆贵禤铭东丁芃贾海强周均铭陈弘
- 关键词：激光干涉光刻纳米阵列刻蚀
- 利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)被引量：7
- 2011年
- 采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的a面GaN材料。
- 何涛陈耀李辉戴隆贵王小丽徐培强王文新陈弘
- 关键词：GANX射线衍射ALN缓冲层
- 一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法
- 本发明公开一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，包括：在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶光栅图形，采用干法刻蚀技术将该光刻胶光栅图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在硅层上留下可充当刻蚀掩膜作...
- 戴隆贵丁芃陈弘贾海强王文新
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- 低温全N2环境下生长的p-GaN插入层对LED电学性质的改善
- 邓震江洋左朋房育涛马紫光戴隆贵贾海强周均铭陈弘
- 一种金属纳米线的制备方法
- 本发明一种金属纳米线的制备方法，包括如下步骤：步骤A：制备多层胶结构，所述多层胶结构从下至上依次为衬底(1)、第一光刻胶层(2)、金属插层(3)和第二光刻胶层(4)；步骤B：采用激光干涉曝光技术在所述第二光刻胶层(4)制...
- 房育涛戴隆贵乐艮贾海强陈弘
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- 量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
- 本发明提出一种量子阱结构，其包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构，所述单量子阱结构为有源层的发光区，且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。所述量子阱结构能够显著提高较低禁带宽度...
- 陈弘贾海强江洋马紫光王文新王禄戴隆贵李卫
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- 气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光被引量：2
- 2011年
- 利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。
- 李辉何涛戴隆贵王小丽王文新陈弘
- 关键词：激子光致荧光
