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王早

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：山西大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金长江学者和创新团队发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇荧光
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米材料
  • 3篇荧光寿命
  • 3篇半导体纳米材...
  • 2篇制单
  • 2篇N型半导体
  • 1篇荧光特性
  • 1篇散焦
  • 1篇偏振
  • 1篇线偏振
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇ITO
  • 1篇成像

机构

  • 4篇山西大学

作者

  • 4篇王早
  • 3篇贾锁堂
  • 3篇张国峰
  • 3篇肖连团
  • 2篇李斌
  • 1篇陈瑞云
  • 1篇秦成兵

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性
根据单量子点的荧光辐射特性高度地依赖于其所处的界面环境，本文通过将CdSe/ZnS单量子点掺杂于N型半导体纳米粒子氧化铟锡(ITO)中使ITO在量子点周围形成紧凑的界面环境来实现对单个CdSe/ZnS量子点的荧光辐射的调...
王早张国峰李斌肖连团贾锁堂
关键词：半导体材料荧光寿命
利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性被引量：5
2015年
利用N型半导体纳米材料氧化铟锡(ITO)作为单CdSe/ZnS量子点的基质来抑制单量子点的荧光闪烁特性.实验采用激光扫描共聚焦显微成像系统测量了单量子点荧光的亮、暗态持续时间的概率密度分布的指数截止的幂律特性,并与直接吸附在SiO2玻片上的单CdSe/ZnS量子点的荧光特性进行比较.研究发现处于ITO中的单量子点比SiO_2玻片上的单量子点荧光亮态持续时间提高两个数量级,掺杂于ITO中的单量子点的荧光寿命约减小为SiO_2玻片上的单量子点的荧光寿命的41%,并且寿命分布宽度变小50%.
王早张国峰李斌陈瑞云秦成兵肖连团贾锁堂
关键词：半导体纳米材料荧光寿命
在半导体纳米材料ITO中的单量子点荧光特性研究
CdSe/ZnS量子点是一种将激子受限于三维空间的半导体纳米粒子，具有吸收光谱宽、发射光谱窄以及量子产率高等优点，在新型光电器件、荧光成像和量子信息等方面具有广阔的应用前景。CdSe/ZnS单量子点具有较强的荧光闪烁特性...
王早
关键词：半导体纳米材料荧光特性
单量子点在半导体纳米材料中的散焦成像模式及荧光辐射特性
量子点的荧光辐射特性高度地依赖于其所处的界面环境，利用半导体纳米材料的界面环境来改变单量子点的荧光辐射特性对于基于量子点的荧光纳米探针及单光子源等具有重要的意义。本文通过将单CdSe/ZnS量子点掺杂于N型半导体纳米材料...
张国峰王早肖连团贾锁堂
关键词：半导体纳米材料荧光寿命
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