王静静
- 作品数：2 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京理工大学更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金北京市自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学更多>>
- 纳米硅薄膜材料在场发射压力传感器研制中的应用被引量：6
- 2003年
- 设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3～9 nm,厚度为30～40 nm的纳米硅薄膜,并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作,形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构.用HREM及TED分析了纳米硅态的显微特性,用场发射扫描电子显微镜SEM分析了发射体及阵列的微观结构,用HP4145B晶体管参数测试仪考察了传感器件的场发射特性.实验结果表明,当外加电场为5.6×103V/m时,器件有效区域发射电流密度可达53.5A/m2.
- 廖波谢君堂仲顺安王静静张大成李婷郝一龙罗葵
- 关键词：场发射特性电流密度
- 等离子体状态对PECVDSiC薄膜微结构的影响被引量：4
- 2004年
- 在PECVD法制备SiC薄膜过程中,深入研究了工作气压及工作气体中氢稀释比例对薄膜的影响,发现以上两个参数是通过共同调整等离子体状态的两个主要参数———等离子体成分及离子能量来起作用的。在此基础上,讨论了等离子体状态在SiC薄膜微结构从非晶转化为纳米晶过程中的作用,发现可以通过控制等离子体成分及离子能量来得到可用于场发射阴极的纳米晶SiC薄膜。
- 王静静廖波刘维王波宋雪梅严辉
- 关键词：工作气压PECVD离子能量微结构SIC薄膜
