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陈洪伟

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：济南大学化学化工学院山东省氟化学化工材料重点实验室更多>>
发文基金：山东省重点学科基金教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇化合物
  • 1篇电极
  • 1篇修饰
  • 1篇修饰电极
  • 1篇修饰碳糊电极
  • 1篇有机锡
  • 1篇有机锡化合物
  • 1篇杂环
  • 1篇杂环戊二烯
  • 1篇支化
  • 1篇支化聚合物
  • 1篇碳糊
  • 1篇碳糊电极
  • 1篇碳硼烷
  • 1篇硼烷
  • 1篇戊二烯
  • 1篇锡化合物
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇化学修饰

机构

  • 3篇济南大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇陈洪伟
  • 2篇聂永
  • 2篇孙国新
  • 2篇苗金玲
  • 1篇陈立仁
  • 1篇周长利
  • 1篇郑玉欣
  • 1篇寿崇琦
  • 1篇张振伟
  • 1篇陈海艳
  • 1篇董艳敏
  • 1篇刘震

传媒

  • 1篇分析化学
  • 1篇有机化学
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
新型超支化聚合物修饰碳糊电极的制备及应用被引量：2
2009年
制备了超支化聚(胺-酯)化学修饰碳糊电极,研究了Cu2+在修饰电极上的电化学行为。在0.25mol/LKCl溶液(pH4.0)中,Cu2+与超支化聚(胺-酯)形成电化学包络物,分别于0.27和0.06V处产生一对灵敏的氧化还原峰,具有明显的催化还原增敏作用。研究了超支化聚合物结构和代数对电极性能的影响。实验表明:5代超支化聚合物修饰电极性能最好。建立了线性扫描伏安法测定痕量铜的方法,线性范围1.0×10-8～3.0×10-5mol/L;检出限为4.0×10-9mol/L。用于人发样品的测定,获得满意结果。
周长利郑玉欣陈洪伟寿崇琦董艳敏刘震陈立仁
关键词：超支化聚合物化学修饰电极铜
碳硼烷有机锡化合物的合成与晶体结构
苗金玲陈洪伟聂永张振伟胡春华孙国新
硼杂环戊二烯化合物研究进展
2011年
硼杂环戊二烯(H4C4BH)衍生物具有4π电子反芳香性结构和很强的Lewis酸性,在理论和应用(光电功能材料和烯烃聚合催化剂等)上都有重要研究价值.综述了近三年来硼杂环戊二烯化合物的研究进展,着重讨论了其合成、结构和化学反应性,归纳了硼杂环戊二烯(基)配合物的合成方法与结构类型。
聂永陈洪伟苗金玲陈海艳孙国新
关键词：反应性夹心化合物
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