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郑清洪

作品数:37 被引量:23H指数:3
供职机构:福建农林大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 24篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇探测器
  • 6篇纤维素膜
  • 5篇透明导电
  • 5篇纤维素基
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇氮化镓
  • 4篇紫外光电探测...
  • 4篇外延膜
  • 4篇晶格
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇激光
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 3篇导电
  • 3篇质谱
  • 3篇质谱法

机构

  • 22篇福建农林大学
  • 10篇中国科学院福...
  • 9篇厦门大学

作者

  • 37篇郑清洪
  • 17篇黄六莲
  • 17篇陈礼辉
  • 12篇欧阳新华
  • 7篇黄瑾
  • 6篇黄丰
  • 6篇倪永浩
  • 5篇曹石林
  • 5篇黄瑾
  • 5篇李建国
  • 5篇杨海洋
  • 4篇丁凯
  • 4篇刘宝林
  • 4篇刘宝林
  • 3篇黄瑾
  • 3篇陈达贵
  • 3篇湛智兵
  • 3篇刘茜
  • 2篇林文文
  • 2篇张继业

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国造纸
  • 1篇分析试验室
  • 1篇电子器件
  • 1篇半导体光电
  • 1篇福建分析测试
  • 1篇科教文汇
  • 1篇中国测试
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2009
  • 5篇2008
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种元素气氛退火炉
本发明公开一种元素气氛退火炉,包括真空腔体、加热组件和退火釜,所述加热组件和退火釜置于真空不锈钢腔体内,所述退火釜包括釜体和可升降釜盖组件。所述真空腔体包括不锈钢腔体、密封圈、腔体盖、抽气管和进气管,所述抽气管和进气管上...
郑清洪黄瑾陈礼辉黄六莲
文献传递
镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
镓极性氮化镓缓冲层的生长方法,涉及一种氮化镓缓冲层,尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层,高温生长的温度为1030~...
刘宝林郑清洪黄瑾
文献传递
DLTS测试条件对不同位置深能级表征的影响
2016年
材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进行材料物理研究、制备高性能电子器件的关键步骤。利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,采用不同测试条件测量n+p结构硅材料中出现的不同能级位置的深能级,观察到p型外延层中出现的7个深能级。对比不同锁相频率、降升温模式、脉冲宽度、注入脉冲电压对测试结果和精度的影响。结果表明,为了有效地测试同一材料中出现的不同能级位置的深能级,应该尽量采用较高的锁相频率和较大的脉冲宽度,并且在降温模式下进行测试,以便有效地分辨较浅能级的谱峰。该测试方法可以推广到其他多能级半导体材料的表征。
黄瑾郑清洪
关键词:深能级俘获截面锁相频率脉冲宽度
镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
镓极性氮化镓缓冲层的生长方法,涉及一种氮化镓缓冲层,尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层,高温生长的温度为1030~...
刘宝林郑清洪黄瑾
文献传递
一种纤维素基紫外光防护膜的制备方法
本发明公开一种纤维素基紫外光防护膜的制备方法,具体是指利用溶液法制备二氧化钛纳米颗粒,作为紫外光吸收材料;利用N‑甲基吗啉‑N‑氧化物(NMMO)工艺法制备纤维素溶胶;将二氧化钛纳米颗粒加入纤维素溶胶中,充分搅拌、静置、...
郑清洪黄瑾陈礼辉黄六莲欧阳新华
文献传递
GaN基LED中极化效应的研究与应用
本论文结合科研项目,针对Ⅲ-Ⅴ族氮化物中存在的极化电场,自洽求解薛定谔方程和泊松方程。提出了利用及消除极化电场的方法,为GaN基LED工艺优化提供理论基础,并通过实验降低p型GaN欧姆接触电阻,提高LED的内量子效率。所...
郑清洪
关键词:极化效应超晶格内量子效率
文献传递
一种纤维素基铝掺杂氧化锌透明导电材料的制备方法
本发明公开一种纤维素基铝掺杂氧化锌透明导电材料的制备方法,采用透明纤维素薄膜作为衬底,在上面生长一层高导电性、高透光率的铝掺杂氧化锌透明导电层,进而退火提高铝掺杂氧化锌透明导电层的光学和电学性能,得到高导电性、高透光率的...
郑清洪陈礼辉曹石林黄六莲杨海洋
文献传递
氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积反应室
本发明公开一种氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积设备反应室。本反应室包括,反应室上法兰盘(1)、反应室下法兰盘(2)、反应室侧壁(3)、旋转轴(4)、电机(5)、磁流体密封轴承(6)、衬底托(7)、衬底加热器(8)、...
丁凯黄丰林钟潮黄顺乐郑清洪颜峰波
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辉光放电质谱法检测AZO靶材中痕量元素及深度分布被引量:3
2017年
利用辉光放电质谱仪(GDMS)对铝掺杂的氧化锌(AZO)靶材中的常微量元素及其深度分布进行分析。首先考察AZO样品中的元素和Ar、H、O、N等气体元素形成的多原子离子干扰。其次利用GDMS和台阶仪对已经进行磁控溅射过的AZO靶材表面进行深度剖析,考察靶材上的主要污染元素随深度的纵向分布,最后利用GDMS对预溅射完后的AZO靶材内部杂质元素进行质谱分析。利用XPS进行验证,两种方法测试得到的Zn和Al的含量相近。分析结果表明GDMS是分析AZO等半导体靶材的有效方法,该方法可以对靶材造成的污染进行预判,避免溅射过程中造成的污染。
黄瑾潘丹梅郑清洪
关键词:辉光放电质谱法磁控溅射
一种垂直结构ZnMgO自驱动日盲紫外光电探测器面阵及其制备方法
本发明公开一种垂直结构ZnMgO自驱动日盲紫外光电探测器面阵及其制备方法,具体是指在透明衬底上生长一层超宽带隙、高载流子浓度的掺杂Zn<Sub>x</Sub>Mg<Sub>1‑x</Sub>O薄膜作为透明导电窗口层;再生...
郑清洪陈礼辉黄六莲欧阳新华杨海洋
文献传递
共4页<1234>
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