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彭霄

作品数:20 被引量:9H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
发文基金:国家科技攻关计划重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 9篇滤波器
  • 7篇谐振器
  • 6篇声表面波
  • 5篇体声波
  • 5篇体声波谐振器
  • 5篇薄膜体声波谐...
  • 4篇声表面波滤波...
  • 4篇天线
  • 4篇装配方法
  • 4篇芯片
  • 3篇电路
  • 3篇压电
  • 2篇电耦合
  • 2篇压磁材料
  • 2篇压电材料
  • 2篇远场
  • 2篇振动
  • 2篇振动模态
  • 2篇直径
  • 2篇射频

机构

  • 20篇中国电子科技...
  • 1篇重庆青年职业...

作者

  • 20篇彭霄
  • 7篇蒋平英
  • 6篇马晋毅
  • 5篇邓立科
  • 5篇余怀强
  • 5篇蒋欣
  • 3篇唐小龙
  • 3篇毛世平
  • 3篇徐阳
  • 3篇刘娅
  • 3篇张磊
  • 2篇施建峰
  • 2篇曹亮
  • 2篇蒋创新
  • 2篇彭雄
  • 2篇何晓亮
  • 2篇成斌
  • 2篇杜雪松
  • 2篇李燕
  • 2篇龙峥

传媒

  • 7篇压电与声光

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器及滤波器
本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器,包括15°铌酸锂基片,所述基片上梳状设置有金属指条,所述基片及金属指条上设置有一层二氧化硅温度补偿层,所述金属指条的宽度d与所述超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取...
谭发曾蒋欣刘娅彭霄李燕金中
文献传递
LiNbO3单晶薄膜体声波谐振器的研制
2019年
该文介绍了一种采用智能截割(Smart CutTM)技术制备的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜体声波谐振器。采用COMSOL有限元仿真软件从材料和结构两方面对LiNbO3薄膜体声波谐振器进行优化设计,以实现高机电耦合系数,并通过Smart CutTM工艺方法制备了高性能Z切-LiNbO3单晶薄膜作为谐振器的压电层,最终得到LiNbO3薄膜体声波谐振器的谐振频率为3847.5MHz,反谐振频率为3986.25MHz,插入损耗为1.81dB,谐振器有效机电耦合系数达到8.3%。
彭霄田本朗毛世平杜波蒋欣徐阳马晋毅蒋平英
关键词:机电耦合薄膜体声波谐振器
一种磁声天线模型仿真方法、装置、天线和存储介质
本发明提供一种磁声天线模型仿真方法、装置、天线和存储介质,方法包括建立天线磁电复合结构的仿真模型,对压电材料层的振动模态进行设置,获取与振动模态对应的第一谐振频率;对压磁材料层的几何结构进行调整,以使压磁材料层的主谐振态...
余怀强彭霄易礼君高振宇邓立科
一种射频声表面波滤波器
本发明专利涉及声表面波滤波器,具体涉及本发明提出一种射频声表面波滤波器,包括压电基片以及压电基片上方的结构单元,结构单元为梳状设置的金属指条,每根金属指条的四个端角进行加宽处理,形成活塞式加权,加权的尺寸为:x轴方向的长...
陈婷婷杜雪松谢晓谢东峰彭霄罗璇升彭雄张华明礼刘春雪
文献传递
微声薄膜滤波器的装配方法及装配结构
本发明提供了一种微声薄膜滤波器的装配方法及装配结构,所述方法包括:提供微声薄膜滤波器和基板,并将微声薄膜滤波器装配到基板上;计算微声薄膜滤波器装配后的阻抗值;根据阻抗值,设计匹配电路,通过匹配电路对微声薄膜滤波器进行阻抗...
王玺邓立科余怀强张磊彭霄马晋毅成斌蒋创新谭玉婷
一种多层薄膜结构的声表面波滤波器
本发明涉及一种声表面波器件,涉及一种多层薄膜结构的声表面波滤波器;所述滤波器包括压电层和所述压电层上方梳状设置的金属指条,在所述压电层下方设置有功能层,在所述功能层下方设置有高声速层,在所述高声速层下方设置有支撑衬底。包...
彭霄蒋平英何西良罗旋升谢东峰司美菊杨彬彬黎妮罗丹刘春雪
文献传递
微纳薄膜磁声天线
本发明公开了一种微纳薄膜磁声天线,包括底座,在底座上表面中部开设有空腔,在空腔底部和侧壁上以及底座上表面设有连为一体的绝缘层,在底座上表面绝缘层上设有支撑层,支撑层中部悬置于空腔之上;在支撑层上设有由磁致伸缩薄膜与薄膜体...
彭霄欧黎马晋毅何晓亮龙飞毛世平蒋欣
一种窄带温补型声表面波滤波器被引量:2
2020年
该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明,该温补型声表面波滤波器的中心频率约1360 MHz,在-55~85℃内频率漂移仅约390 kHz,频率温度系数约-2×10^-6/℃,插入损耗约1.3 dB。
冷俊林董加和陆川陈运祥李桦林陈尚权彭霄寇俊唐永红米佳
关键词:声表面波滤波器
S波段低插损FBAR陷波器的研制被引量:3
2021年
该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399~2412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1800~2300 MHz和2500~2800 MHz,通带插损仅1 dB;3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明,陷波器实测与仿真结果两者相吻合。
蒋平英蒋世义何西良陈金琳彭霄徐阳刘娅
关键词:陷波器芯片
小型化双通带声表滤波器设计研究被引量:2
2020年
针对小型化双通带声表面波(SAW)滤波器的需求背景,对两端口、两通带的SAW滤波器的设计技术展开研究。通过搭建包含两组耦合模(COM)参数的双通带SAW滤波器声电协同仿真平台,分析优化滤波器性能,成功研制出CSP2520封装的双通带SAW滤波器,其中心频率分别为1995 MHz和2185 MHz,通带带宽均为40 MHz,插入损耗小于3 dB,通带间隔离度大于30 dB。测试与仿真结果基本一致。
彭雄彭霄杜雪松唐小龙陈婷婷蒋平英马晋毅唐蜜
关键词:芯片级封装耦合模
共2页<12>
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