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赵宇

作品数：44 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 28篇电极
  • 25篇红外
  • 24篇探测器
  • 23篇红外探测
  • 22篇红外探测器
  • 17篇势垒
  • 17篇势垒层
  • 17篇晶格
  • 17篇超晶格
  • 14篇衬底
  • 8篇锑化物
  • 6篇刻蚀
  • 6篇空穴
  • 4篇电学隔离
  • 4篇异质结
  • 4篇制作方法
  • 4篇金属
  • 4篇拉曼
  • 4篇拉曼散射
  • 4篇二极管

机构

  • 44篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 44篇赵宇
  • 30篇黄勇
  • 17篇熊敏
  • 10篇潘革波
  • 6篇肖燕
  • 6篇邓凤祥
  • 4篇胡立峰
  • 2篇孙玉润
  • 2篇杨辉
  • 2篇董建荣
  • 2篇刘永强
  • 2篇赵勇明
  • 2篇胡立锋
  • 2篇曾徐路
  • 2篇李奎龙
  • 2篇赵春雨
  • 2篇于淑珍
  • 1篇谢辉
  • 1篇赵有文
  • 1篇张宝顺

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 6篇2022
  • 9篇2021
  • 8篇2020
  • 6篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2015
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种有机/GaN异质p-n结紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种有机/氮化镓异质p-n结紫外光探测器及其制备方法。该探测器包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p-n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极；其制备方...
潘革波胡立峰邓凤祥赵宇肖燕
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III–V族纳米结构及其制作方法
本申请公开了一种III‑V族纳米结构，包括III‑V族基底以及形成于所述III‑V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III‑V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III‑V族三维...
潘革波邓凤祥胡立峰赵宇
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半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管
本发明公开了一种半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管，半导体发光单元包括依序叠层的空穴势垒层、有源层和电子势垒层，空穴势垒层和电子势垒层的有效带宽分别大于有源层的有效带宽，空穴势垒层和有源层的导带相互平齐且价带形成势...
朱赫赵宇吴启花黄勇
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红外探测器及其制备方法
本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、第二电极及从下而上依次设置于所述衬底上的接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述第一电极与所述接触层连接，所述第二电极与所述电子势垒层连接，所述...
黄勇赵宇熊敏吴启花
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红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种红外探测器，包括：N型衬底；探测部，设置于所述N型衬底上，所述探测部包括多个叠层设置的探测单元；上电极，设置于所述探测部上；下电极，设置于所述N型衬底上。其中，所述探测单元包括N型接触层，以及依序叠层设置...
黄勇赵宇吴启花
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主被动红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种主被动红外探测器，包括设置于衬底上的主动红外探测部和被动红外探测部，主动红外探测部包括依次层叠设置于衬底上的光敏材料接触层、光敏材料吸收层和光敏材料连接层；其中，光敏材料接触层、光敏材料吸收层和光敏材料连...
朱虹赵宇黄勇
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红外光探测器及其制作方法
本发明公开了一种红外光探测器，包括第一电极、多个第二电极、N型衬底以及依序叠层于N型衬底的第一表面上的N型超晶格吸收层、N型超晶格势垒层和N型超晶格接触层，N型超晶格接触层中形成有多个P型超晶格接触部，多个P型超晶格接触...
黄勇赵宇吴启花熊敏
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InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的MOCVD生长和制备
锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外的InAs/GaSb二类超晶格探测器均用MBE生...
黄勇吴启花赵宇熊敏赵迎春董旭张宝顺
关键词：红外探测器气相外延生长晶格结构性能表征
红外探测器及其制备方法
本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、多个第二电极及从下而上依次设置于衬底上的吸收层、第一势垒层、第二势垒层，第一电极与衬底连接，第二势垒层包括阵列设置的多个半导体层，多个半导体层与多个...
黄勇熊敏赵宇吴启花
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表面增强拉曼散射传感器及其制备方法
本发明公开了表面增强拉曼散射传感器，包括基底以及基底上的金属纳米柱阵列，所述金属纳米柱的上端面为平面，截面为六边形；所述金属纳米柱的高度为400～600nm，直径为100～200nm；其中，相邻的两个金属纳米柱的间距为2...
潘革波赵宇肖燕刘永强吴浩迪
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