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张利斌
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86
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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国家科技重大专项
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相关领域:
电子电信
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合作作者
韦亚一
中国科学院微电子研究所
董立松
中国科学院微电子研究所
何建芳
中国科学院微电子研究所
粟雅娟
中国科学院微电子研究所
王向朝
中国科学院上海光学精密机械研究...
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一种获取套刻误差量测数据的方法及装置
本发明提供了一种获取套刻误差量测数据的方法及装置,包括:获取套刻误差的标记方式,根据标记方式确定套刻标记;基于套刻标记,确定线条上的量测区域,量测区域包括多组待量测区间,待量测区间的数量根据标记方式确定;针对每个量测区域...
马恩泽
韦亚一
张利斌
董立松
文献传递
一种套刻标识图像处理方法及装置
本申请实施例提供了一种套刻标识图像处理方法及装置,套刻标识图像可以包括第一图形和第二图形,第一图形和第二图形套叠设置,对套刻标识图像进行识别,确定第一图形所在的第一区域和第二图形所在的第二区域,在第一区域和第二区域满足图...
张利斌
韦亚一
冯耀斌
陆聪
文献传递
先进工艺下的版图邻近效应研究进展
2020年
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应。在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法。最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势。
王英菲
张青淳
苏晓菁
董立松
陈睿
张利斌
盖天洋
粟雅娟
韦亚一
叶甜春
关键词:
CMOS
金属栅
FINFET
一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备
本发明公开一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备,涉及半导体制造技术领域,以提高图案化层状结构的生产效率和产率,降低成本。所述层图案化方法包括:提供基底,在基底上形成共混材料层;共混材料层含有可相分离的第一组分...
刘伟晨
韦亚一
张利斌
文献传递
一种线条粗糙度的测量方法及系统
本发明提供一种线条粗糙度的测量方法及系统,确定多个像素阈值,并获得每个像素阈值下的边缘分布,在对边缘分布进行分析后,获得每个像素阈值下的线条粗糙度,通过对所有像素阈值下的线条粗糙度进行比较,选择线条粗糙度连续变化时的最小...
张利斌
韦亚一
文献传递
一种光刻工艺窗口的测量方法
本发明公开了一种光刻工艺窗口的测量方法,包括:提供一晶圆,所述晶圆具有通过光刻聚焦值与曝光能量矩阵形成的多个阵列排布的待测结构;通过电子束显微镜获取所述待测结构的线条成像图;通过多像素阈值方法对所述线条成像图进行分析,获...
张利斌
韦亚一
文献传递
一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置
本申请实施例公开了一种修正模型的建立方法及装置、掩模图形优化方法及装置,预先基于历史掩模图形的图形参数、历史掩模图形曝光得到的历史曝光图形的实际参数和历史掩模图形对应的历史权重建立修正模型,历史权重基于历史掩模图形的图形...
马乐
韦亚一
张利斌
陈睿
文献传递
一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置
本申请实施例公开了一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置,包括获取初始掩模图形,根据初始掩模图形的几何特征,得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形,在目标光源库中查找与测试图形对应的测试光源,其中,目标光源库包括...
高澎铮
韦亚一
张利斌
一种自对准双重图形成像方法
本发明提供了一种自对准双重图形成像方法,包括:提供衬底,所述衬底上依次形成有待刻蚀层、第一掩膜层、第二掩膜层、第一光罩层;提供第一掩膜版和第二掩膜版,第一掩膜版提供关键图形,第二掩膜版提供非关键图形;分别利用第一掩膜版和...
张利斌
韦亚一
文献传递
一种扫描电子显微图像的三维重构方法
本发明提供一种扫描电子显微图像的三维重构方法,其中,包括步骤:提供微纳结构;获取微纳结构的扫描电子显微图像;根据所述扫描电子显微图像获取三维结构粗略图;根据所述扫描电子显微图像构建反射电子强度数据库;根据所述反射电子强度...
张利斌
粟雅娟
韦亚一
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