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刘安东

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:北京师范大学核科学与技术学院更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子辐照
  • 1篇电子注
  • 1篇深能级
  • 1篇能级
  • 1篇区熔
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅功率器件
  • 1篇辐照效应

机构

  • 1篇北京师范大学
  • 1篇有色金属研究...

作者

  • 1篇王炳林
  • 1篇钱思敏
  • 1篇朱悟新
  • 1篇刘安东

传媒

  • 1篇北京师范大学...

年份

  • 1篇1984
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
硅功率器件的电子辐照效应及其机理被引量:2
1984年
电子辐照硅功率器件是七十年代初发展起来的新工艺,它利用加速器产生高能电子流辐照硅功率器件,使硅材料晶格中的点阵原予发生位移,造成简单的品格空位和间隙原子。这些空位和问隙原子要和硅中的其它杂质、空位相互作用,组成缺陷络合物,形成了深能级的复合中心,如氧宅位对、磷空位对、双空位对等,以控制少子寿命.
钱思敏王炳林王培德刘安东黄耀先张传汉朱悟新张厥宗
关键词:辐照效应电子辐照深能级区熔电子注
共1页<1>
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