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文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇陶瓷
  • 7篇陶瓷基
  • 7篇陶瓷基片
  • 7篇基片
  • 6篇电路
  • 6篇内匹配
  • 6篇功率管
  • 4篇并联
  • 3篇匹配电路
  • 3篇功率
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇管芯
  • 3篇放大器
  • 3篇大功率
  • 2篇单胞
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓晶体管

机构

  • 19篇中国电子科技...

作者

  • 19篇钟世昌
  • 8篇景少红
  • 5篇李宇超
  • 4篇郭怀新
  • 4篇潘斌
  • 3篇孔月婵
  • 3篇陈堂胜
  • 3篇黄丹
  • 2篇陈晓青
  • 2篇谢凌霄

年份

  • 6篇2024
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MIM电容器的制备方法及MIM电容器
本发明公开了一种MIM电容器的制备方法及MIM电容器,所述MIM电容器包括:衬底,所述衬底上开设有若干背孔;背金层,所述背金层附着在衬底下表面、背孔的侧壁;电容第一极板,所述电容第一极板设在衬底上方,且与附着在衬底下表面...
邵国键秦桂霞沈杰周书同陈韬张军云景少红钟世昌唐世军
一种宽带高效GaN内匹配功率管
本实用新型涉及一种新型宽带高效GaN内匹配功率管,其输入、输出均采用多级阻抗变换形式的带通匹配网络,将匹配元件制作在陶瓷基片上;在靠近GaN HEMT管芯栅端位置通过并联一段电感、电容、电阻串联电路到地与GaN HEMT...
钟世昌时晓航景少红王帅李飞曹建强杨文琪
一种基于片内微流散热结构的高可靠高频GaN功率器件及其制备方法
本发明公开了一种基于片内微流散热结构的高可靠高频GaN功率器件及其制备方法,器件包括:设置于器件正面的GaN功率器件有源区和匹配电路互连区,以及器件背面的片内微流结构区和高可靠微流集成区,匹配电路互连区设置于GaN功率器...
郭怀新王瑞泽钟世昌成爱强潘斌孔月婵陈堂胜
一种宽带大功率GaN预匹配功率管
本发明提出了一种宽带大功率GaN预匹配功率管,涉及微波功率放大器,属于基本电子电路的技术领域。该宽带大功率GaN预匹配功率管的输入预匹配网络采用分布式元件匹配,将匹配元件制作在氧化铝陶瓷基片上;输出预匹配网络采用谐振网络...
钟世昌景少红王帅饶翰李飞曹建强王云燕
文献传递
2-6 GHz大功率放大器输出内匹配结构
本发明涉及一种新颖的宽带内匹配结构,适用于2‑6GHz频段。本发明的匹配结构应用于内匹配GaN管芯的输出端,在2‑6GHz频段范围内实现80W的输出功率和大于36%的漏极效率,极大提升了现有器件的性能水平。本发明的匹配结...
杨兴张剑钟世昌张茗川陈晓青
一种智能功放状态选择电路
本发明公开了一种智能功放状态选择电路,包括分压器、比较器、选择器、调制器和PMOS管。通过改变功率放大器的静态工作点,使其在通信模式时工作在A类,线性指标可以满足使用要求;搜索模式时工作在C类,使器件可以发挥最佳的功率、...
李宇超钟世昌王帅平培力徐伟
一种低通匹配结构的高线性GaN内匹配功率管
本实用新型公开了一种低通匹配结构的高线性GaN内匹配功率管,包括四路单胞电路、输入合成网络、栅极偏置网络、输出合成网络和漏极偏置网络,四路单胞电路并联连接;单胞电路的一端与输入合成网络和栅极偏置网络连接,另一端与输出合成...
汤茗凯景少红王帅钟世昌费凡吕德程
一种MIM电容及其制备方法
本发明公开了一种MIM电容及其制备方法,所述MIM电容包括电容,所述电容设在衬底的上方;所述电容包括由下至上依次设置的下极板、下电容介质层、中极板、上电容介质层、上极板;电容中极板通过接地模块、背孔、背金与地相接,上下极...
邵国键秦桂霞沈杰周书同陈韬张军云景少红钟世昌唐世军
一种自偏置内匹配功率管
本发明涉及的是一种自偏置内匹配功率管,包括输入匹配电路、P0管芯、输出匹配电路和自偏置电路;本发明的优点:1)采用分布式电感和电容实现内匹配,减小了功率管的体积;2)自偏置电路采用单电源供电,与传统的双电源供电电路相比,...
钟世昌黄丹
一种内匹配功率管
本发明公开了一种内匹配功率管,包括输入匹配电路、管芯和输出匹配电路,所述输入匹配电路为集成在GaAs基片上的单片集成电路,所述输出匹配电路为制作在陶瓷基片上的内匹配电路。本发明结合了单片集成电路和内匹配电路的优点,制作的...
钟世昌李宇超景少红谢凌霄黄丹
文献传递
共2页<12>
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