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刘依依

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇硼元素
  • 3篇共掺
  • 3篇硼
  • 3篇锗
  • 3篇镓
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇硅

机构

  • 3篇常州天合光能...

作者

  • 3篇付少永
  • 3篇熊震
  • 3篇刘依依

年份

  • 3篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法
本发明涉及一种镓硼锗共掺单晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02×10<Sup>15</Sup>-1.02×10<S...
刘依依葛文星付少永熊震
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一种镓锗硼共掺准单晶硅及其制备方法
本发明涉及一种镓硼锗共掺准单晶硅，属于半导体材料制作技术领域，在准单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02*10<Sup>15</Sup>-1.02*10<Sup>1...
刘依依葛文星付少永熊震
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一种镓锗硼共掺多晶硅及其制备方法
本发明涉及一种镓硼锗共掺多晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为1.02*10<Sup>15</Sup>-1.02*10<Sup>1...
刘依依葛文星付少永熊震
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