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夏万顺

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇退火
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇气相沉积
  • 2篇热退火
  • 2篇金属
  • 2篇刻蚀
  • 2篇快速热退火
  • 2篇快速退火
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇加速度
  • 2篇加速度计
  • 2篇干法刻蚀
  • 1篇弹性梁
  • 1篇电极
  • 1篇电路
  • 1篇电路工艺
  • 1篇电容式
  • 1篇电容式微加速...

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇夏万顺
  • 4篇张国俊
  • 4篇戴丽萍
  • 4篇宋文平
  • 4篇王姝娅
  • 4篇钟志亲
  • 3篇王志明
  • 2篇王文昊
  • 2篇余鹏

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种基于SOI的三轴电容式微加速度计
基于SOI的三轴电容式微加速度计包括SOI基片、带阻尼孔的单一质量块、蛇形弹性梁、固定梳齿、与质量块相连的可动梳齿。使用SOI表面加工技术，使制造工艺能与普通的集成电路工艺兼容，降低成本。结构为中心对称图形，通过单一质量...
戴丽萍宋文平夏万顺许龙来王姝娅钟志亲张国俊
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二硫化钼薄膜的制备及其光探测器研究
2004年英国曼彻斯特大学Geim小组成功分离出单层碳原子薄膜石墨烯,自此纳米材料科学领域对二维材料的研究拉开了序幕。借着机械剥离法,紧接着六角氮化硼（h-BN）,单层二硫化钼（MoS2）等具有原子层级厚度的薄膜材料相继...
夏万顺
关键词：MOS2化学气相沉积光探测器
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一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法
本发明涉及微电子技术领域，一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法，包括以下步骤：(1)使用标准RCA清洗碳化硅片，并用氮气吹干；(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀；(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、A...
许龙来钟志亲余鹏王文昊张国俊戴丽萍王姝娅王志明宋文平夏万顺
一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法
本发明涉及微电子技术领域，一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法，包括以下步骤：(1)使用标准RCA清洗碳化硅片，并用氮气吹干；(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀；(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、A...
许龙来钟志亲余鹏王文昊张国俊戴丽萍王姝娅王志明宋文平夏万顺
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一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺
本发明公开了一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺，SOI从下到上依次为衬底、绝缘层、Si层，步骤如下：(1)利用化学气相沉积工艺在Si层上沉积一层SiO<Sub>2</Sub>薄膜，(2)刻蚀SiO<Sub>2</Sub>薄...
戴丽萍宋文平王志明许龙来夏万顺王姝娅钟志亲张国俊
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