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孙国才

作品数：5 被引量：16H指数：2
供职机构：华中科技大学物理学院物理系更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇微波吸收
  • 2篇金属诱导
  • 2篇晶化
  • 2篇非晶硅
  • 2篇非晶硅薄膜
  • 1篇低温晶化
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁特性
  • 1篇多晶硅薄膜晶...
  • 1篇有源层
  • 1篇铁氧体
  • 1篇微波
  • 1篇微波吸收特性
  • 1篇金属
  • 1篇金属铝
  • 1篇金属诱导横向...

机构

  • 5篇华中科技大学

作者

  • 5篇孙国才
  • 4篇饶瑞
  • 3篇曾祥斌
  • 3篇徐重阳
  • 1篇赵伯芳
  • 1篇王长安
  • 1篇姚凯伦
  • 1篇刘祖黎

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇压电与声光
  • 1篇2000年中...

年份

  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
晶化前后有源层的刻蚀对poly-Si TFT性能的影响被引量：1
2001年
在普通玻璃衬底上低温 ( 6 0 0℃以下 )制备 poly SiTFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点。采用金属诱导横向晶化法低温研制了 poly SiTFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀对poly SiTFT性能的影响。
饶瑞徐重阳孙国才赵伯芳曾祥斌
关键词：金属诱导横向晶化有源层刻蚀多晶硅薄膜晶体管
铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜被引量：13
2001年
为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器，低温（＜６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜，并光刻形成铝膜图形，而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法，研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程，结果表明；在５６０℃退火６ｈ后；铝膜下的非晶硅已完全晶化，确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．
饶瑞徐重阳孙国才王长安曾祥斌
关键词：金属诱导晶化非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属铝晶化机理
复合手性材料的电磁特性及微波吸收机理
孙国才
关键词：微波吸收电磁特性
微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究被引量：4
2001年
多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (<6 0 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺 :微波退火非晶硅薄膜固相晶化法 ,利用 X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响 。
饶瑞徐重阳孙国才曾祥斌
关键词：低温晶化非晶硅薄膜多晶硅薄膜
MnZn铁氧体-聚苯胺复合基质手性材料的微波吸收特性
制备了MnZn铁氧体-导电聚苯胺复合材料,以该复合材料为基质,以铜螺旋体为手性掺杂体制备了复合手性材料.测量了微波频率为9.5GHz时手性材料的电磁参数,进而计算出以金属为衬低的平板手性材料的微波反向系数,研究陴性材料的...
孙国才刘祖黎饶瑞姚凯伦
关键词：铁氧体聚苯胺复合基质微波吸收特性
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