王军
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学医药卫生核科学技术电子电信更多>>
- 一种激光晶体及其制备方法和用途
- 本发明提供一种激光晶体及其制备方法和用途。该激光晶体为过渡金属掺杂的氮化铝，其化学式是：M<Sup>3+</Sup>:AlN，其中，M表示Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的一种或几种，它们的摩尔掺杂比例分别为：Cr：0.0...
- 陈小龙姜良宝王文军左思斌鲍慧强李辉王军
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- 高效率Be过滤探测器中子非弹性散射谱仪
- 1996年
- 在中国原子能科学研究院重水堆水平孔道旁，建立了高效率的Ｂｅ过滤探测器中子非弹性散射谱仪，首次研制了具有宽的接受角（～３０°）和聚焦安排的新型Ｂｅ过滤器，使探测效率提高３倍以上，同时也克服了一般Ｂｅ过滤谱仪在低能段相干散射的影响．本谱仪还通过具有特殊取向的Ｇｅ单色器的不同晶面的自动转向，拓宽了测量的能量范围（１０—４００ｍｅＶ），并有较好的能量分辨率（４％—９％）．在此谱仪上对ＺｒＨ１．６和ＰｄＨ０．５８的光学振动模以及高Ｔｃ超导材料ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的全频谱进行了测试，观察出奇异的结构峰、高频模和反常的散射强度，表明本谱仪不仅效率高而且还具有优良的物理性能，可以在中等通量水平的反应堆上开展广泛的热中子非弹性散射研究．
- 阮景辉牛世文曾祥欣王军成之绪程玉芬勾成郭立平林军俞安孙沈志功柯永丰张泮林严启伟
- 关键词：非弹性散射中子谱仪探测器
- 物理气相传输法AlN单晶生长
- III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光...
- 王文军左思斌鲍慧强王刚王军陈小龙
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- 热喷涂法在氧化铝衬底上制备YBCO超导厚膜
- 热喷涂法在氧化铝衬底上制备出了YBCO超导厚膜,膜厚达30μm,为了保证超导膜与氧化铝的结合及防止铝向超导体中的扩散,采用烧结镀银法在氧化铝上涂镀了4-6μm的银层.利用X——ray衍射仪对YBCO超导厚膜进行衍射分析,...
- 单玉桥东北大学(沈阳)樊占国李长业王军赵忠贤
- 关键词：热喷涂超导厚膜
- PVT法生长AlN单晶
- 作为Ⅲ族氮化物重要的成员之一,氮化铝具有许多优良的物理性能,如直接宽带隙(6.2eV)、高的热导率、低的热膨胀系数、较大的机械硬度等,这使氮化铝在高温、高频、高功率器件及紫外光电器件等领域有重大的应用价值[1-3]。目前...
- 左思斌王军陈小龙王文军
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- 一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法
- 本发明提供一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，包括：对原料区和氮化铝籽晶加热，将原料区加热至生长温度，且在将原料区被加热至所述生长温度之前，至少在原料区到达1650℃以上之后，保持籽晶的温度大于等于原料区的温度；...
- 王文军左思斌陈小龙王军姜良宝鲍慧强
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- 一种激光晶体及其制备方法和用途
- 本发明提供一种激光晶体及其制备方法和用途。该激光晶体为过渡金属掺杂的氮化铝，其化学式是：M<Sup>3+</Sup>:AlN，其中，M表示Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的一种或几种，它们的摩尔掺杂比例分别为：Cr：0.0...
- 陈小龙姜良宝王文军左思斌鲍慧强李辉王军
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- PVT法生长AIN单晶
- 左思斌王军陈小龙王文军
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- 一种氮化铝固体激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化铝固体激光器及其制备方法。所述氮化铝固体激光器，包括泵浦源和位于衬底上的工作物质，其中工作物质为由过渡金属掺杂的氮化铝制成的具有一维纳米结构的阵列，所述过渡金属掺杂的氮化铝的化学式为TM<Sup>3+...
- 陈小龙姜良宝王文军左思斌鲍慧强李辉王军
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- AlN单晶生长
- <正>氮化铝(AlN)是一种直接宽带隙半导体材料,具有高的热导率和化学稳定性,在高温、高频、高功率器件及紫外光电器件等领域有很好的应用前景[1-3]。此外,AlN单晶也是外延生长GaN的理想衬底材料。但是,目前高质量、大...
- 王文军王军左思斌陈小龙
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