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王勇

作品数：47 被引量：33H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 17篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 9篇GAN
  • 8篇SIC_ME...
  • 7篇输出功率
  • 7篇晶体管
  • 7篇功率
  • 6篇势垒
  • 6篇肖特基
  • 6篇光刻
  • 6篇X波段
  • 6篇HEMT
  • 5篇肖特基势垒
  • 4篇电路
  • 4篇套刻
  • 4篇套刻精度
  • 4篇功率器件
  • 4篇合金
  • 4篇HFET
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 4篇衬底

机构

  • 40篇中国电子科技...
  • 8篇中北大学
  • 6篇河北工业大学
  • 4篇专用集成电路...
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇河北大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国国防科技...

作者

  • 47篇王勇
  • 18篇张志国
  • 17篇冯震
  • 15篇蔡树军
  • 15篇杨克武
  • 12篇默江辉
  • 8篇宋建博
  • 8篇李静强
  • 8篇王永维
  • 7篇李亮
  • 7篇王敬轩
  • 6篇杨瑞霞
  • 6篇冯志红
  • 5篇周瑞
  • 4篇冯志宏
  • 4篇薛晨阳
  • 4篇刘俊
  • 4篇秘瑕
  • 3篇李丽
  • 3篇吴洪江

传媒

  • 9篇半导体技术
  • 7篇Journa...
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇传感器与微系...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇微波学报
  • 1篇纳米技术与精...
  • 1篇中北大学学报...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 8篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 9篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
HEMT高灵敏度微加速度计的设计与测试
2012年
根据压阻传感原理设计了GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件与Si基悬臂梁-质量块结构集成的微加速度。通过ANSYS结构应力仿真,GaN基HEMT作为敏感单元置于微悬臂梁结构根部的应力最大处。同时对微加速度计的关键研制工艺进行了设计和研究,成功制备出具有力电耦合特性的传感结构。并且测试了微结构在静态0～10g的惯性测试,结果表明GaN基HEMT器件具备明显的力电耦合效应,该微加速度计的灵敏度为0.24 mA/g,线性度为12.4%,适合研制高灵敏度的微加速度计。
史伟莉薛晨阳唐建军王勇刘俊张文栋
关键词：HEMTGAN微加速度计高灵敏度
GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应被引量：3
2005年
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各种抑制电流崩塌的方法进行了比较。
张志国杨瑞霞李丽李献杰王勇杨克武
关键词：异质结场效应晶体管极化效应二维电子气电流崩塌效应
用于SiC MESFET直流测试的夹具
本发明公开了一种用于SiC MESFET直流测试的夹具，属于场效应晶体管测试领域。其包括布有滤波电路的PCB板和承载所述PCB板的金属板；所述金属板设有用于固定被测SiC MESFET器件的凹槽，所述PCB板设有与上述凹...
默江辉王勇李静强王翔付兴昌杨克武
S波段88W SiC MESFET推挽放大器研究被引量：3
2010年
采用管壳内预匹配及外电路匹配相结合的方法,制作成功S波段高增益、高效率、大功率SiC MESFET推挽放大器。采用预匹配技术提高了器件输入、输出阻抗,优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。放大器在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,频率2GHz,Vds=50V脉冲输出峰值功率为88.7W(49.5dBm),功率增益为8.1dB,峰值功率附加效率为30.4%。
默江辉李亦凌王勇潘宏菽李亮陈昊蔡树军
关键词：SICMESFET推挽放大器
利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法
本发明公开了一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法，涉及SiC电子器件技术领域。包括如下步骤：（a）对SiC基片进行清洗处理；（b）在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜；（c）通过光刻技...
王敬轩王永维王勇
文献传递
GaN微波器件T型栅的制作方法
本发明公开了一种GaN微波器件的T型栅的制作方法，其包括下述步骤：①在GaN基片上生长高温介质层，所述高温介质层的成分为Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>；②在上述高温介质层的上表面生长低温介质层，所...
王勇李亮秘瑕彭志农周瑞蔡树军
大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究被引量：6
2010年
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四胞器件在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHzVds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%。
默江辉王丽刘博宁李亮王勇陈昊冯志红何庆国蔡树军
关键词：内匹配大功率
用于GaN功率器件的对位标记的制作方法
本发明公开了一种用于GaN功率器件的对位标记及其制备方法，属于半导体器件的加工领域。所述用于GaN功率器件的对位标记包括位于GaN基片上的一次金属对位标记和二次金属对位标记，所述一次金属对位标记的金属与所述GaN功率器件...
王勇秘瑕周瑞赵金霞张志国蔡树军
带有胞间平衡电阻的大栅宽SiC MESFET制作方法
一种带有胞间平衡电阻的大栅宽SiC MESFET制作方法，主要在SiC MESFET制作过程中，加入胞间平衡电阻的制作步骤，最终在大栅宽SiC MESFET管芯的输入输出端各设置一个胞间平衡电阻。该胞间平衡电阻的制作方法...
默江辉李亮王勇李静强冯震高学邦吴洪江
一种降低漏电流的GaN器件
本实用新型公开了一种降低漏电流的GaN器件，涉及GaN功率半导体器件领域。该GaN器件自下而上依次包括衬底、AlN缓冲层、非掺杂GaN外延层、高掺杂AlGaN势垒层、高介电常数介质材料层和复合介质材料层；所述非掺杂GaN...
王敬轩王永维王勇
文献传递
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