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过共晶成份InSb-NiSb复合材料的组织与磁电性能: 1990年; 两种过共晶成份2.0与2.5％NiSb—InSb(重量)复合材料,在G=75℃/cm和6种单向凝固速度下皆取得了规则排列的共晶组织。测出它们在离锭棒底25和50mm处纤维间距(λ)和凝固速度(R)之间的关系为(λ—A)~2R=C并求出C值。测出它们的霍耳系数与温度的关系R_H-1/T曲线,发现低温区有类p-型和n-型两类半导体特性。此外还测出了它们在不同磁感强度(B)和不同温度下的电阻值,并求出磁阻比R_ B/R_O和零磁场电阻R_O的温度系数α_B和α_o论文还讨论了影响磁阻比的因素。; 萧宜雍赵永正; 关键词：复合材料共晶电阻

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赵永正