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夏国银

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米硅
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇退火
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇量子点阵列
  • 2篇开关比
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料
  • 2篇存储器
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇电子束蒸发法
  • 1篇蒸发法
  • 1篇退火工艺
  • 1篇退火温度
  • 1篇纳米硅薄膜
  • 1篇SIOX
  • 1篇SIOX薄膜
  • 1篇硅

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇夏国银
  • 3篇马忠元
  • 3篇徐岭
  • 3篇徐骏
  • 3篇冯端
  • 3篇黄信凡
  • 3篇陈坤基
  • 3篇江小帆
  • 2篇杨华峰
  • 1篇李伟
  • 1篇王越飞

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面...
马忠元陈坤基徐岭夏国银江小帆杨华峰徐骏黄信凡冯端
一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面...
马忠元陈坤基徐岭夏国银江小帆杨华峰徐骏黄信凡冯端
文献传递
SiOx(x=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究被引量：1
2014年
采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可达109.X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明,不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源.椭偏仪的测试结果表明,经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因.
任圣马忠元江小帆王越飞夏国银陈坤基黄信凡徐骏徐岭李伟冯端
关键词：SIOX薄膜
阻变纳米硅薄膜的制备及其阻变特性的研究
随着英特尔公司宣布开始量产22纳米工艺制程的芯片，集成电路的器件线宽不断减小，基于电荷存储机制的传统存储器已经遇到极大的挑战。在这个背景下，许多新型存储器被提出，其中最有希望的候选之一就是阻变存储器，而阻变存储机制的研究...
夏国银
关键词：纳米硅薄膜电子束蒸发法退火工艺
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