杭丽
- 作品数：10 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种用于多路复用器的断电保护电路
- 本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种用于多路复用器的断电保护电路，该电路包括：缓冲电路、断电保护电路以及开关电路；缓冲电路的输出端连接开关电路，断电保护电路的输出端连接开关电路；其中，缓冲电路包括四个MOS管和两个二...
- 徐青钟昂罗凯熊派派刘骏豪朱坤峰杭丽
- 某双路单刀双掷模拟开关功能异常原因分析
- 2021年
- 模拟开关因具有功耗低、速度快、无机械触点、体积小和使用寿命长等特点,广泛应用于各类电子设备中,完成信号链路中的信号切换功能。某型号双路单刀双掷模拟开关在使用过程中出现功能异常,表现为第三路开关无法正常导通。本文详细介绍了分析的过程,进行了静电应力、过电应力的外部原因分析及电路自身质量问题分析,定位故障原因为工艺加工缺陷引起的氧化层耐压能力降低,氧化层被击穿导致电路异常。文章阐述了故障机理,并对工艺加工过程、筛选试验提出了建议,分析结论对后续类似电路的生产制造具有一定的借鉴意义。
- 杭丽刘文喆霍改青
- 关键词：模拟开关氧化层击穿
- 一种高速GaN半桥栅极驱动器
- 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种高速GaN半桥栅极驱动器，所述高速GaN半桥栅极驱动器由输入级1、输入级2、自举二极管D1、电平转化电路、缓冲级1、缓冲级2、功率管PM1、NM1、PM2、NM2组成；本发明通过电平转...
- 游超季睿张欢杭丽高兴国刘昱含
- 一种具有双向过压保护的模拟开关电路
- 本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有双向过压保护的模拟开关电路，该电路包括：开关控制电路、过压限流保护电路以及开关电路；所述开关控制电路与开关电路连接，用于控制开关电路；所述过压限流保护电路与开关电路连接，用于保...
- 熊派派徐青刘骏豪杭丽罗焰娇杨光美朱坤峰张广胜
- 文献传递
- 一种用于数模混合DC/DC全芯片ESD防护技术被引量：1
- 2021年
- 数模混合多电源域DC/DC转换器芯片具有工作电压高、供电电流大、输出短路保护等特点,其相应的电路结构复杂、数模信号混合、电源域多,因此其ESD防护设计成为了一个难题。本文从静电防护器件结构、多电源域静电设计、高低压隔离等多维度进行设计考量,基于0.35μm的BCD工艺,制定了全芯片ESD防护设计方案,通过数模混合多电源域DC/DC转换器芯片流片验证,显示该方案的HBM ESD防护等级达到2000 V。
- 向凡杭丽季睿雷旭霍改青
- 关键词：数模混合
- 一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计被引量：4
- 2016年
- 在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。
- 王鹏徐青杭丽付晓君
- 关键词：抗辐射加固
- 一种用于多路复用器的断电保护电路
- 本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种用于多路复用器的断电保护电路，该电路包括：缓冲电路、断电保护电路以及开关电路；缓冲电路的输出端连接开关电路，断电保护电路的输出端连接开关电路；其中，缓冲电路包括四个MOS管和两个二...
- 徐青钟昂罗凯熊派派刘骏豪朱坤峰杭丽
- 文献传递
- 一种用于电源管理的MOSFET驱动电路
- 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种用于电源管理的MOSFET驱动电路，包括：Vref_LS内部电源模块、缓冲模块、第一反相器组、nmos加速电路、nmos管N1、Vref_HS内部电源模块、电平位移模块、第二反相器组、...
- 高兴国季睿刘凡杭丽徐青雷旭廖鹏飞杨丰蒲林郭艾刘婷曾欣杨光美杨凯
- 一种抗高压瞬时噪声干扰的高速高边栅极驱动电路
- 本发明涉及模拟集成电路中的驱动芯片，具体涉及一种抗高压瞬时噪声干扰的高速高边栅极驱动电路，包括双脉冲产生电路，用于接收输入信号HI，生成低压脉冲信号SET和低压脉冲信号RESET；高压电平移位电路，用于将低压窄脉冲信号S...
- 陈远豪 季睿高兴国杭丽 游超 刘昱含 王炜 章归澳 王玉莹 杨丰
- 一种带漏电流消除技术的低导通电阻平坦度模拟开关
- 本发明涉及一种带漏电流消除技术的低导通电阻平坦度模拟开关，属于半导体技术领域。包括：第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管；第一PMOS晶体管的源极和漏极分别与第一NMOS晶体管的源极和漏极相连接，并作为模拟开关的输入端...
- 张盼盼徐青孟华群杭丽王鹏甘明富高兴国赵思源
- 文献传递
