郝昕
- 作品数：18 被引量：20H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- 一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法
- 一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法，属于材料技术领域。本发明在氩气辅助热裂解碳化硅制备外延石墨烯方法的基础上进行改进，在氩气辅助下热裂解碳化硅制备外延石墨烯过程中，通过增加一个若干气孔（5）的石墨罩（4）罩将碳化硅衬底...
- 陈远富郝昕王泽高李萍剑刘竞博张万里李言荣
- 文献传递
- 一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法
- 一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底（1）、<Image file="DDA00002800637900011.GIF" he="24" imgContent="u...
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- Si(100)衬底对ZnO纳米线阵列生长方向的控制作用
- 2007年
- 采用热分解ZnO粉末法,以Au为催化剂,在Si(100)衬底上外延生长了ZnO纳米线阵列。用扫描电子显微镜(SEM)分析表明:ZnO纳米线的直径在100nm左右,长度约3μm,与衬底表面的夹角约为70.5°,纳米线具有四个特定的倾斜方向A,B,C,D。X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO(0002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿C轴择优生长。结合Si与ZnO的晶格结构特征,理论研究得出ZnO纳米线与Si基片的晶格匹配关系为:[0001]_(ZnO)∥[114]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[1■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■14]_(Si),失配度为1.54%。得出了Si(100)衬底对ZnO纳米线生长方向具有控制作用的结论。
- 唐斌邓宏税正伟张强郝昕
- 关键词：ZNO纳米线
- 一维ZnO材料的生长机理及其光电性能的研究
- 近年来,由于一维ZnO结构在场发射、紫外敏感、压电等方面的优越性能,使之在平板显示器、紫外传感器、微型纳米发电机等领域的应用极具潜力,已成为目前的研究热点。然而难以制备出排列整齐、取向一致及易于器件化的一维ZnO阵列这个...
- 郝昕
- 关键词：光致发光
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- 一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法
- 一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法，可实现去除衬底耦合效应的目的。包括：（1）对硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯待插层样品进行清洁处理；（2）按照1∶1的体积比配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液，并将待插层样品浸泡于混合...
- 郝昕陈远富王泽高李萍剑刘竞博张万里李言荣
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- 一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法
- 一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法，属于材料技术领域。本发明在氩气辅助热裂解碳化硅制备外延石墨烯方法的基础上进行改进，在氩气辅助下热裂解碳化硅制备外延石墨烯过程中，通过增加一个若干气孔（5）的石墨罩（4）罩将碳化硅衬底...
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- 一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法
- 一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底（1）、<Image file="DDA00002800637900011.GIF" he="22" imgContent="u...
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- SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法
- 本发明涉及SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法。包括一作为真空腔体的气炼石英管，位于真空腔体内中间位置的.SiC衬底、感应加热石墨舟和碳毡保温层，所述SiC衬底位于石墨舟样品槽内，所述石墨舟位于碳毡保温层中部，所述碳毡...
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- SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法
- 本发明涉及SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法。包括一作为真空腔体的气炼石英管，位于真空腔体内中间位置的.SiC衬底、感应加热石墨舟和碳毡保温层，所述SiC衬底位于石墨舟样品槽内，所述石墨舟位于碳毡保温层中部，所述碳毡...
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- 一种石墨烯场效应晶体管
- 本发明属于电子元器件技术领域，涉及一种场效应晶体管，特别是一种以石墨烯为导电层的双栅结构的场效应晶体管。该石墨烯场效应晶体管包括衬底栅电极、下栅介质材料、上栅介质材料、石墨烯、源电极和漏电极，石墨烯位于上栅介质材料和下栅...
- 陈远富王泽高郝昕刘兴钊李言荣
